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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
GBPC25005W	2.7900	RFQ	500	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC25005		Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	117																	1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 50 V		25 A										Monophasé	50 V
1N4744atr	0,0300	RFQ	1621	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial				1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	6 867																			5 µA @ 11,4 V															15 V	14 ohms
BC556ABU	0,0400	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	8 435																								65 V	100 mA								15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
HUF76633P3-F085	0,9300	RFQ	2919	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		100 V	39a (TC)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 39A, 10V	3V à 250µA	67 NC @ 10 V	± 16V	1820 pf @ 25 V	-	145W (TC)
MBRP3045NTU	0,7000	RFQ	336	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3			Schottky		À 220-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	45 V	15A	650 MV @ 15 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5234CTR	0,0200	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 2%	200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V															6.2 V	7 ohms
2N4401BU	-	RFQ	8397	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																								40 V	600 mA								-			NPN	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
RGP10J	0,0600	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	RGP10		Standard		DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														600 V		1,3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
MMSZ5250B	-	RFQ	7912	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-	Support de surface	SOD-123	MMSZ52			500 MW	SOD-123	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 mA		100 na @ 15 V															20 V	17 ohms
1N916	1 0000	RFQ	2109	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200m	2pf @ 0v, 1mhz
1N914TR	0,0300	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			Standard		Do-35	télécharger				EAR99	8541.10.0070	11 539	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200m	4pf @ 0v, 1mhz
BZX79C36-T50A	0,0200	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																	1,5 V @ 100 mA		50 na @ 25,2 V															36 V	90 ohms
FDS6575	1 0000	RFQ	2847	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	10A (TA)	2,5 V, 4,5 V	13MOHM @ 10A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	74 NC @ 4,5 V	± 8v	4951 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
FDS8896	1 0000	RFQ	8481	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	15A (TA)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	2525 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FQP2N80	0,7200	RFQ	900	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		800 V	2.4a (TC)	10V	6,3 ohm @ 1,2a, 10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	550 pf @ 25 V	-	85W (TC)
FDMC6683	-	RFQ	2901	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger					0000.00.0000	1		Canal p		20 V	12A (TA), 18A (TC)	1,8 V, 5V	8,3MOHM @ 12A, 4,5 V	1V @ 250µA	114 NC @ 4,5 V	± 8v	7835 PF @ 10 V	-	2.3W (TA), 41W (TC)
FDMC2610	1 0000	RFQ	1155	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		200 V	2.2A (TA), 9.5A (TC)	6v, 10v	200 mohm @ 2.2a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	960 PF @ 100 V	-	2.1W (TA), 42W (TC)
Fqd7n20ltm	-	RFQ	2891	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		200 V	5.5A (TC)	5v, 10v	750mohm @ 2 75a, 10v	2V à 250µA	9 NC @ 5 V	± 20V	500 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
FDB16AN08A0	1.3700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	239		Canal n		75 V	9A (TA), 58A (TC)	6v, 10v	16MOHM @ 58A, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1857 pf @ 25 V	-	135W (TC)
FGL35N120FTDTU	6.0600	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa		Standard		368 W	HPM F2	télécharger				EAR99	8542.39.0001	50			600V, 35A, 10OHM, 15V															337 ns					Arête du Champ de Tranché	1200 V	70 A	105 A	2.2V @ 15V, 35A	2,5mj (on), 1,7mj (off)	210 NC	34NS / 172NS
ES1H	0,0900	RFQ	13	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC (SMA)	télécharger				EAR99	8541.10.0080	3 209	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														500 V		1,7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 500 V	150 ° C (max)	1A	-
FCP170N60	3 5600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	92		Canal n		600 V	22A (TC)	10V	170MOHM @ 11A, 10V	3,5 V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 20V	2860 PF @ 380 V	-	227W (TC)
FCP190N60-GF102	-	RFQ	6393	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		600 V	20.2a (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	208W (TC)
2N5551BU	-	RFQ	8798	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																								160 V	600 mA								50NA (ICBO)			NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	100 MHz
FDMS8025S	0,5800	RFQ	171	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8541.29.0095	563		Canal n		30 V	24a (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 24A, 10V	3V @ 1MA	47 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 15 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
KSC1008CYTA	0,0600	RFQ	26	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				800 MW	To-92-3	télécharger					0000.00.0000	5 207																								60 V	700 mA								100NA (ICBO)			NPN	400 mV à 50ma, 500mA	120 @ 50mA, 2V	50 MHz
S1D	1 0000	RFQ	8487	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC, SMA	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														200 V		1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
S1G	0,0500	RFQ	186	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC, SMA	télécharger				EAR99	8541.10.0080	6 217	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														400 V		1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4148	-	RFQ	4088	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N414		Standard		Do-35	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200m	4pf @ 0v, 1mhz
FDBL9403-F085	-	RFQ	3363	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn			MOSFET (Oxyde Métallique)		8 hpsof	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		40 V	240a (TC)	10V	0,9MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	188 NC @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 25 V	-	357W (TJ)