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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | SFS9630 | 0,4100 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 4.4a (TC) | 10V | 800mohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 965 PF @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559CBU | 1 0000 | ![]() | 7622 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSBF3CH60B | 10.6700 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion-SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 3 phase | 3 A | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS15CH60 | 14.7800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 3 | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 21 | Onduleur Triphasé | 15 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8160 | 1,7000 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FDB816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 10V | 1,8MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 243 NC @ 10 V | ± 20V | 11825 PF @ 15 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG329N | 0 1700 | ![]() | 383 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 1.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 90MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 4,6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 324 pf @ 10 V | - | 420mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5256B | - | ![]() | 9886 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqnl1n50bbu | - | ![]() | 7014 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 270mA (TC) | 10V | 9OHM @ 135mA, 10V | 3,7 V @ 250µA | 5,5 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 1,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA24N50 | - | ![]() | 9456 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 500 V | 24a (TC) | 10V | 200 mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 4500 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF6N60C | 0,6600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 5.5A (TC) | 10V | 2OHM @ 2 75A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 810 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200A-FS | 0,1000 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 500 mA | 50na | Pnp | 400 mV @ 20mA, 200mA | 300 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffaf40u60dntu | 1.2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 40a | 2.1 V @ 40 A | 110 ns | 20 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8874 | 0,5400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 16a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3990 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB19N20LTM | 1 0000 | ![]() | 5433 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 21A (TC) | 5v, 10v | 140mohm @ 10.5a, 10v | 2V à 250µA | 35 NC @ 5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF15UP20STTU | 0.4400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f-2l | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 15 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N30 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 3.9A (TC) | 10V | 900 mohm @ 1 95a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76429d3st | 0,5300 | ![]() | 2959 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 404 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3651-TD-E | 0,1800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 2SC3651 | PCP | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 100mA | 500 @ 10mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N754A_NL | 0,0200 | ![]() | 7505 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 6,8 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP19N10L | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 19A (TC) | 5v, 10v | 100MOHM @ 9.5A, 10V | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hp4936dy | 0 4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HP4936 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.8A (TA) | 37MOHM @ 5.8A, 10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10v | 625pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8936 | 0,7800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS893 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.3a | 35MOHM @ 5.3A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 720pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgp10n60undf | 0.9900 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 305 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4935A | - | ![]() | 1025 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS49 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 23MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N486B-T50A | 0,0200 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 250 V | 1 V @ 100 mA | 50 na @ 225 V | 175 ° C (max) | 200m | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8025AS | 0,4300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS8025 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337A | 0,0600 | ![]() | 4993 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 373 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WT | 0,0300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | 1N4148 | Standard | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | 4 ns | 125mA | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n312as3st | 0,8700 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 58A, 10V | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 15 V | - | 75W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J111 | 1 0000 | ![]() | 9687 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | - | 35 V | 20 mA @ 15 V | 3 V @ 1 µA | 30 ohms |
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