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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FDMS0346 | 0,1800 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 25 V | 17A (TA), 28A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1625 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si3445dv | 0 1200 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 20 V | 5.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 5.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1926 PF @ 10 V | - | 800mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31 | 0,0200 | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 681 | 32 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV à 500 µA, 10mA | 110 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9640 | 0,5100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 6.2a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 1585 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF170 | - | ![]() | 4869 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 500mA (TA) | 10V | 5OHM @ 200mA, 10V | 3V @ 1MA | ± 20V | 40 pf @ 10 V | - | 300mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH085N80-F155 | - | ![]() | 7391 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 800 V | 46A (TC) | 10V | 85MOHM @ 23A, 10V | 4,5 V @ 4,6mA | 255 NC @ 10 V | ± 20V | 10825 PF @ 100 V | - | 446W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N30 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 3.9A (TC) | 10V | 900 mohm @ 1 95a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2070N3 | 1.9800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 4.1a (TA) | 6v, 10v | 78MOHM @ 4.1A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 1884 PF @ 75 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559CBU | 1 0000 | ![]() | 7622 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75542P3 | 1.7400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 173 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 20 V | ± 20V | 2750 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fyv0203dnmtf | 0,0200 | ![]() | 4382 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 935 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 200m | 1 V @ 200 mA | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n312as3st | 0,8700 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 58A, 10V | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 15 V | - | 75W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J111 | 1 0000 | ![]() | 9687 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | - | 35 V | 20 mA @ 15 V | 3 V @ 1 µA | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC15005W | 2.6200 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC15005 | Standard | GBPC-W | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 125 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 50 V | 15 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WT | 0,0300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | 1N4148 | Standard | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | 4 ns | 125mA | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2756omtf | 0,0200 | ![]() | 6579 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150mw | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 632 | 15 dB ~ 23 dB | 20V | 30m | NPN | 90 @ 5mA, 10V | 850 MHz | 6,5 dB à 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF6N90 | 1.2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 900 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,9 ohm @ 2,3a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1880 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N486B-T50A | 0,0200 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 250 V | 1 V @ 100 mA | 50 na @ 225 V | 175 ° C (max) | 200m | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS356P | 1 0000 | ![]() | 1157 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.1A (TA) | 4,5 V, 10V | 210MOHM @ 1.3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 5 NC @ 5 V | ± 12V | 180 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD2570 | 1.4600 | ![]() | 84 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 4.7A (TA) | 6v, 10v | 80MOHM @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1907 PF @ 75 V | - | 3.2W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA11N90 | - | ![]() | 9792 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 900 V | 11.4a (TC) | 10V | 960MOHM @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 94 NC @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD45H11TF | - | ![]() | 2319 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MJD45 | 1,75 W | À 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 266 | 80 V | 8 A | 10 µA | Pnp | 1V @ 400mA, 8A | 40 @ 4a, 1v | 40 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa928aota | - | ![]() | 7632 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | KSA928 | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 2v @ 30mA, 1,5a | 100 @ 500mA, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF1N60 | 1 0000 | ![]() | 3496 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 900mA (TC) | 10V | 11,5ohm @ 450mA, 10V | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 21W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp2907atf | 0,0500 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 6 138 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907TA | 0,0200 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 40 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB4N20TM | 0,6600 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 1,8a, 10v | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9630 | 0,4100 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 4.4a (TC) | 10V | 800mohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 965 PF @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N50C | 0,7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5.5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,8a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 98W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75939P3_F102 | - | ![]() | 3508 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 |
Volume de RFQ moyen quotidien
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