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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Flz15vb | 0,0200 | ![]() | 113 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 133 Na @ 11 V | 14.3 V | 13,3 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF12P20 | 0 7700 | ![]() | 2377 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 124 | Canal p | 200 V | 8.6a (TC) | 10V | 470mohm @ 4.3a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP100N10 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 159 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3992 | - | ![]() | 3710 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS39 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 100V | 4.5a | 62MOHM @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 15nc @ 10v | 750pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB14AN06LA0 | 1 0000 | ![]() | 7597 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TA), 67A (TC) | 5v, 10v | 11.6MOHM @ 67A, 10V | 3V à 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75343P3 | 0,7800 | ![]() | 643 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 9MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9945 | - | ![]() | 2555 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS99 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W (ta) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 60V | 3.5A (TA) | 100MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 13nc @ 5v | 420pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2N70 | 0,6300 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 700 V | 2A (TC) | 10V | 6,3ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB27N25TM | 1,3000 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FQB27 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 25,5a (TC) | 10V | 131mohm @ 25,5a, 10v | 5V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 417W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76121S3ST | 0 4600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 47A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2508SDC | 1.4300 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Dual Cool ™, PowerTrench®, SyncFet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 34A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 95 mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4515 PF @ 13 V | - | 3.3W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448 | 0,0300 | ![]() | 115 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | Do-35 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200m | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50_F133 | - | ![]() | 7819 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 48A (TC) | 105MOHM @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 137 NC @ 10 V | ± 20V | 6460 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5242BTR | 0,0200 | ![]() | 103 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9,1 V | 12 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD850N10LD | - | ![]() | 7269 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 252-5, DPAK (4 leads + onglet), à 252ad | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 500 | Canal n | 100 V | 15.3A (TC) | 75MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 28,9 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 PF @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH47N60 | - | ![]() | 4826 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 47a (TC) | 10V | 70MOHM @ 23,5A, 10V | 5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 30V | 8000 pf @ 25 V | - | 417W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF-FS | - | ![]() | 6953 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,75 W | D-pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 2 A | 20 µA | PNP - Darlington | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdn336p | 0.1400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 156 | Canal p | 20 V | 1.3A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 200 mohm @ 1,3a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 330 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDY4001CZCT | - | ![]() | 6907 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | Fdy40 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 2 101 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA56 | - | ![]() | 7268 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1 W | SOT-223-4 | - | 2156-PZTA56 | 1 | 80 V | 500 mA | 100NA | Pnp | 250 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1v | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N80TM | - | ![]() | 6350 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 188 | Canal n | 800 V | 6.6a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 3,3a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c3v6 | 1 0000 | ![]() | 7622 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,3 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76013D3ST | 0,2800 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 20A (TC) | 5v, 10v | 22MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCBS0550 | 15.4000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Mosfet | FCBS0 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 3 phase | 5 a | 500 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560BTA | 1 0000 | ![]() | 7158 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW2955TM | 0,4000 | ![]() | 5792 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 540 | Canal p | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.7a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337A | 0,0600 | ![]() | 4993 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 373 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffaf40u60dntu | 1.2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 40a | 2.1 V @ 40 A | 110 ns | 20 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4935A | - | ![]() | 1025 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS49 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 23MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8025AS | 0,4300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS8025 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - |
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