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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0 1200
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 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-xfbga, wlcsp FDZ1827 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (ta) 6-WLCSP (1.3x2.3) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) draine commun 20V 10A (TA) 13MOHM @ 1A, 4,5 V 1,2 V à 250µA 24 NC @ 10V 2055pf @ 10v -
DF01S1 Fairchild Semiconductor DF01S1 0.1900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Standard 4-SDIP télécharger EAR99 8541.10.0080 1 700 1.1 V @ 1 A 3 µA à 100 V 1 a Monophasé 100 V
MBRP1545NTU Fairchild Semiconductor MBRP1545NTU 0,5300
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou À 220-3 Schottky À 220-3 télécharger EAR99 8541.10.0080 570 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 15A 800 mV @ 15 a 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
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 ECAD 7713 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.29.0095 526 Canal n 60 V 17.6a (TC) 4,5 V, 10V 33MOHM @ 17.6A, 10V 3V à 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 878 PF @ 25 V - 41.7W (TJ)
1N914BTR Fairchild Semiconductor 1N914BTR 0,0300
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 ECAD 186 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Standard Do-35 télécharger EAR99 8541.10.0070 11 539 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 100 V 1 V @ 100 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200m 4pf @ 0v, 1mhz
FDMS3669S Fairchild Semiconductor FDMS3669S 0,8500
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS3669 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W (TA), 2,2W (TC), 1W (TA), 2,5W (TC) 8-pqfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 352 2 canal n (double) asymétrique 30V 13A (TA), 24A (TC), 18A (TA), 60A (TC) 10MOHM @ 13A, 10V, 5MOHM @ 18A, 10V 2,7 V @ 250µA, 2,5 V @ 1MA 24 NC @ 10V, 34NC @ 10V 1605pf @ 15v, 2060pf @ 15v Porte de Niveau Logique
BZX84C5V1 Fairchild Semiconductor Bzx84c5v1 -
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 ECAD 5914 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bzx84c5 300 MW SOT23-3 (à 236) - 0000.00.0000 1 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohms
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321P3 0,6400
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 ECAD 13 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 468 Canal n 55 V 35A (TC) 10V 34MOHM @ 35A, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
PZTA64 Fairchild Semiconductor PZTA64 0,1500
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 ECAD 76 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 1 W SOT-223-4 télécharger EAR99 8541.29.0075 1 994 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1,5 V @ 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125 MHz
MM5Z30V Fairchild Semiconductor MM5Z30V 1 0000
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 ECAD 2788 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 50 na @ 21 V 30 V 80 ohms
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Supremos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger EAR99 8541.29.0095 24 Canal n 600 V 72.8a (TC) 10V 38MOHM @ 38A, 10V 5V @ 250µA 300 NC @ 10 V ± 30V 11045 PF @ 100 V - 543W (TC)
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904TAR -
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 ECAD 2085 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 40 V 200 mA 50na NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300 MHz
1N5247BTR Fairchild Semiconductor 1N5247BTR 0,0200
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 ECAD 4891 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 100 na @ 13 V 17 V 19 ohms
1N5251B Fairchild Semiconductor 1N5251B 0,0300
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 ECAD 163 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% - Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger EAR99 8541.10.0050 11 539 900 mV @ 200 mA 100 na @ 17 V 22 V 29 ohms
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
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 ECAD 1960 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n - 35 V 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohms
GBPC1202W Fairchild Semiconductor GBPC1202W 3.3700
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W Standard GBPC-W télécharger EAR99 8541.10.0080 90 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V 12 A Monophasé 200 V
FDPC1002S Fairchild Semiconductor FDPC1002 0,3900
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 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C Support de surface 8-POWERWDFN Fdpc1 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.6W (TA), 2W (TA) PowerClip-33 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) 25V 13A (TA), 20A (TC), 27A (TA), 60A (TC) 6MOHM @ 13A, 10V, 1,8MOHM @ 27A, 10V 2,2 V @ 250µA, 2,2 V @ 1MA 19nc @ 10v, 64nc @ 10v 1240pf @ 13v, 4335pf @ 13v -
FGA30S120P Fairchild Semiconductor FGA30S120P -
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 ECAD 8010 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FGA30S120 Standard 348 W To-3pn télécharger EAR99 8542.39.0001 1 - Arête du Champ de Tranché 1300 V 60 A 150 a 2.3V @ 15V, 30A - 78 NC -
FJP5304DTU Fairchild Semiconductor FJP5304DTU 1 0000
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 ECAD 9133 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif - Par le trou À 220-3 70 W À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400 V 4 A 250mA NPN 1,5 V @ 500mA, 2,5A 8 @ 2a, 5v -
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
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 ECAD 149 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 84A (TA) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 18A, 10V 3V à 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3845 PF @ 15 V - 83W (TA)
1N4148-T50A Fairchild Semiconductor 1N4148-T50A 0,0300
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 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N4148 Standard DO-35 (DO-204AH) télécharger EAR99 8541.10.0070 11 539 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175 ° C (max) 200m 4pf @ 0v, 1mhz
BZX85C13 Fairchild Semiconductor BZX85C13 0,0300
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 ECAD 89 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger EAR99 8541.10.0050 10 230 1,2 V @ 200 mA 500 na @ 9.1 V 13 V 10 ohms
FDS6682 Fairchild Semiconductor FDS6682 -
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 ECAD 4662 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 14A (TA) 4,5 V, 10V 7,5 mohm @ 14a, 10v 3V à 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2310 PF @ 15 V - 1W (ta)
BZX79C10 Fairchild Semiconductor Bzx79c10 0,0300
RFQ
 ECAD 203 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger EAR99 8541.10.0050 11 539 1,5 V @ 100 mA 200 na @ 7 V 10 V 20 ohms
FDN352AP Fairchild Semiconductor Fdn352ap 1 0000
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 ECAD 6950 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 télécharger EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 1.3A (TA) 4,5 V, 10V 180MOHM @ 1,3A, 10V 2,5 V @ 250µA 1,9 NC @ 4,5 V ± 25V 150 pf @ 15 V - 500mw (TA)
GBPC2504W Fairchild Semiconductor GBPC2504W -
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 ECAD 1994 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W Standard GBPC-W télécharger 0000.00.0000 1 1,1 V @ 12,5 A 5 µA @ 400 V 25 A Monophasé 400 V
FDMS8023S Fairchild Semiconductor FDMS8023S 0,6200
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 483 Canal n 30 V 26A (TA), 49A (TC) 4,5 V, 10V 2,4 mohm @ 26a, 10v 3V @ 1MA 57 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 59W (TC)
BF721T1G Fairchild Semiconductor BF721T1G -
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 ECAD 2316 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 1,5 w SOT-223 (à 261) télécharger EAR99 8541.29.0075 1 300 V 50 mA 10NA (ICBO) Pnp 800 mV @ 5mA, 30mA 50 @ 25mA, 20V 60 MHz
GBPC1510W Fairchild Semiconductor GBPC1510W 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger EAR99 8541.10.0080 107
ISL9V2040D3ST Fairchild Semiconductor Isl9v2040d3st 0,9700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger EAR99 8542.39.0001 309
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

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