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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC |
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![]() | FDB7045L | 4.0500 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 100A (TJ) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 50a, 10v | 3V à 250µA | 58 NC @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | FQB12N60TM | 1.3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 217 | Canal n | 600 V | 10.5a (TC) | 10V | 700MOHM @ 5.3A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDC6308P | 0,5300 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6308 | - | 700MW (TA) | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.7A (TA) | 180 mohm @ 1,7a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 5nc @ 4,5 V | 265pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||
![]() | Fqd6n60ctf | - | ![]() | 5291 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 810 PF @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDB5680 | 1.7400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 40A (TC) | 6v, 10v | 20mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRF730B | 0,3200 | ![]() | 471 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 2 75A, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDB4030L | 0,8300 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 10V | 55MOHM @ 4.5A, 10V | 2V à 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 365 PF @ 15 V | - | 37,5W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FMG2G300LS60E | - | ![]() | 7762 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 h ha | Fmg2 | 892 W | Standard | 19 h ha | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Demi-pont | - | 600 V | 300 A | 1,8 V @ 15V, 300A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||
![]() | HGTP14N44G3VL | 1 0000 | ![]() | 9388 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Logique | 231 W | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 7,5a, 1kohm, 5v | - | 490 V | 27 A | 1,9 V @ 4,5 V, 8A | - | - / 18µs | ||||||||||||||||||||
![]() | Hgtp7n60a4_nl | 0,6000 | ![]() | 511 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 125 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 511 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | - | 600 V | 34 A | 56 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 55 µJ (ON), 60µJ (OFF) | 37 NC | 11ns / 100ns | ||||||||||||||||||
![]() | FDB15N50_NL | 2.1300 | ![]() | 9308 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Canal n | 500 V | 15A (TC) | 10V | 380 mOhm @ 7,5a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FMG1G150US60L | 51.0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 595 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 150 a | 2,7 V @ 15V, 150A | 250 µA | Non | ||||||||||||||||||||
![]() | Ssp2n60b | 0 1700 | ![]() | 372 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Si4936dy | 0,9700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4936 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.8A (TA) | 37MOHM @ 5.8A, 10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10v | 460pf @ 15v | - | ||||||||||||||||||
Si6433dq | 1.0900 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 47MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1193 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | SSU1N60BTU | 0.1400 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 900mA (TC) | 10V | 12OHM @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 30V | 215 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUFA75329G3 | 98.2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 49a (TC) | 10V | 24MOHM @ 49A, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Si4884dy | - | ![]() | 8699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4463dy | 0 7700 | ![]() | 189 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 11.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12MOHM @ 11.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 12V | 4481 PF @ 10 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||
![]() | HUF76121D3ST | 0,4100 | ![]() | 76 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUF76645S3ST | 2.1800 | ![]() | 788 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 16V | 4400 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | SFU9214TU | 0,3200 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 250 V | 1.53A (TC) | 10V | 4OHM @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||
Si6467dq | - | ![]() | 4638 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 20 V | 9.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 12MOHM @ 9.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 96 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5878 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||
Si6463dq | 0 4600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 8.8A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12,5 mohm @ 8,8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 66 NC @ 4,5 V | ± 12V | 5045 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | SFW9510TM | 0,3400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,8a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 335 PF @ 25 V | - | 3.8W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | RFD16N05SM_NL | - | ![]() | 2706 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 387 | Canal n | 50 V | 16A (TC) | 10V | 47MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUFA75333G3 | 0,9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16MOHM @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | SFS9634 | 0,3900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 250 V | 3.4A (TC) | 10V | 1,30 ohm @ 1,7a, 10v | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 30V | 975 PF @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | ISL9N306AD3ST | 0,3400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 50A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | SFR2955TM | 0.1900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 7.6a (TC) | 10V | 300 mOhm @ 3,8a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) |
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