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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Current - Rectifié Moyen (IO) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Drain de Courant (ID) - Max |
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![]() | HUF76013P3 | 0 2900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 20 V | 20A (TC) | 5v, 10v | 22MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu8k | 0,5400 | ![]() | 7963 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 800 V | 8 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8599CTA | 0,0200 | ![]() | 9617 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | Pnp | 400 mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C30 | 0,0200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 18 006 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76432S3ST | 0,5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 59a (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 59A, 10V | 3V à 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6076 | 0,0200 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 500 mA | 100NA | Pnp | 250 MV @ 1MA, 10MA | 100 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413DK8T | 0,6400 | ![]() | 2206 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HUFA76413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Canaux N (double) | 60V | 5.1a | 49MOHM @ 5.1A, 10V | 3V à 250µA | 23nc @ 10v | 620pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N | 1.2700 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V | 7,5 mohm @ 16a, 4,5 V | 2V à 250µA | 48 NC @ 4,5 V | ± 12V | 3355 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH30N120FTDTU | 1 0000 | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 339 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 730 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 60 A | 90 A | 2V @ 15V, 30A | - | 208 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8098TA | 0,0200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 60 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3015R | 0,0200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY301 | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2,2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N50CFTM | - | ![]() | 3311 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Frfet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 58 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1 55 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4420dy | - | ![]() | 1290 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 272 | Canal n | 30 V | 12.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 12.5A, 10V | 1V @ 250µA | 53 NC @ 5 V | ± 20V | 2180 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | 0,3600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N551 | - | ![]() | 4074 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf6n40cf | 0,6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 6A (TC) | 10V | 1OHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4080N3 | 1.6600 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 13a (ta) | 10V | 10,5 mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 20 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMPQ2907 | 1 0000 | ![]() | 2228 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MMPQ29 | 1W | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 40V | 600mA | 50NA (ICBO) | 4 pnp (quad) | 1,6 V @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9959 | 0 4700 | ![]() | 7722 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS995 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 50v | 2A | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 15nc @ 10v | 250pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDM3000 | 1,6000 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDM300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 3 N ET 3 Canaux P (phases Pont 3) | 30V | 3A | 90MOHM @ 3A, 10V | 3V à 250µA | 25nc @ 10v | 360pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD6N50CTF | 0,6000 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 25a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 61W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4124BU | 0,0200 | ![]() | 6544 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2156-2n4124bu-fs | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 25 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 120 @ 2MA, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE3055T | 1 0000 | ![]() | 8145 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 600 MW | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | 60 V | 10 a | 700 µA | NPN | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | 2 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6719A | - | ![]() | 4174 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | À 226-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 500 | 300 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 750 MV @ 3MA, 30MA | 40 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3201RTA | 0,0200 | ![]() | 301 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Court | FJNS32 | 300 MW | To-92s | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 20 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJZ594JCTF | 0,0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-623F | 100 MW | SOT-623F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 3,5pf @ 5v | 20 V | 150 µA @ 5 V | 600 mV à 1 µA | 1 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz5v1b | - | ![]() | 3154 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 190 na @ 1,5 V | 5.1 V | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbl04 | 0,4000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6688 | 1.3900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 5 V | ± 20V | 3845 PF @ 15 V | - | 83W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP9N15 | 0 2900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 25V | 410 PF @ 25 V | - | 75W (TC) |
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