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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FDMA530PZ	-	RFQ	5634	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	418			Canal p					30 V	6.8A (TA)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 6.8A, 10V	3V à 250µA	24 NC @ 10 V	± 25V	1070 pf @ 15 V	-	2.4W (TA)
FDU6N50TU	0,4100	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					500 V	6A (TC)	10V	900MOHM @ 3A, 10V	5V @ 250µA	16,6 NC @ 10 V	± 30V	940 PF @ 25 V	-	89W (TC)
NZT753	0,3900	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa					1,2 W	SOT-223-4	télécharger	EAR99	8542.39.0001	800																										100 V	4 A								100NA (ICBO)			Pnp	300 mV @ 50mA, 1A	100 @ 500mA, 2V	75 MHz
Df06s	-	RFQ	5151	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins				Standard		Df-s	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1																			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		1 a										Monophasé	600 V
GBPC3501W	1 0000	RFQ	8739	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W				Standard		GBPC-W	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1																			1,1 V @ 17,5 A		5 µA @ 100 V		35 A										Monophasé	100 V
FDC8886	0,2000	RFQ	184	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1 500			Canal n					30 V	6.5A (TA), 8A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 6.5A, 10V	3V à 250µA	7.4 NC @ 10 V	± 20V	465 PF @ 15 V	-	1.6W (TA)
FDMS3610S	-	RFQ	3566	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		FDMS3610		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	Power56	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique							25V	17.5A, 30A		5MOHM @ 17.5A, 10V	2V à 250µA	26nc @ 10v		1570pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
FDB0250N807L	1 0000	RFQ	9916	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					80 V	240a (TC)	8v, 10v	2,2MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	± 20V	15400 pf @ 40 V	-	3.8W (TA), 214W (TC)
FDMS3615S	-	RFQ	7214	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		FDMS3615		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	8-pqfn (5x6)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique							25V	16a, 18a		5,8MOHM @ 16A, 10V	2,5 V @ 250µA	27nc @ 10v		1765pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
Mb2	-	RFQ	5890	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins		Mb2		Standard		MD-S	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1																			1 05 V @ 400 mA		5 µA @ 200 V		500 mA										Monophasé	200 V
FGH40N60UFTU	-	RFQ	1849	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		290 W	À 247	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1				400V, 40A, 10 ohms, 15v																					Arrêt sur le terrain	600 V	80 A	120 A	2,4 V @ 15V, 40A	1,19mJ (ON), 460µJ (OFF)	120 NC	24ns / 112ns
FGH30T65UPDT_F155	-	RFQ	1617	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		250 W	À 247-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1				400V, 30A, 8OHM, 15V																33 ns					Arête du Champ de Tranché	650 V	60 a	90 A	2.3V @ 15V, 30A	760 µJ (ON), 400 µJ (OFF)	155 NC	22NS / 139NS
2N7002W	1 0000	RFQ	6836	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323		2N7002		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-3 (SOT323)	télécharger	EAR99	8541.21.0095	1			Canal n					60 V	115mA (TA)	5v, 10v	7,5 ohm @ 50mA, 5V	2V à 250µA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	200MW (TA)
BC548CTA	0,0400	RFQ	22	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes					500 MW	To-92-3	télécharger	EAR99	8541.21.0075	8 266																										30 V	100 mA								15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
FCH130N60	2.3700	RFQ	144	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					600 V	28a (TC)	10V	130 mohm @ 14a, 10v	3,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	3590 PF @ 380 V	-	278W (TC)
FCH190N65F-F155	3.3400	RFQ	4300	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	66			Canal n					650 V	20,6a (TC)	10V	190MOHM @ 10A, 10V	5V @ 2MA	78 NC @ 10 V	± 20V	3225 PF @ 100 V	-	208W (TC)
FDB8443	-	RFQ	8573	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					40 V	25A (TA), 120A (TC)	10V	3MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	± 20V	9310 PF @ 25 V	-	188W (TC)
1N5282TR	0,0200	RFQ	80	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger	EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																80 V	900 mV à 100 mA	4 ns	100 na @ 55 V	175 ° C (max)	200m	2,5pf @ 0v, 1MHz
Fdmt800152dc	3.3400	RFQ	7916	Semi-conducteur de Fairchild	Dual Cool ™, PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn				MOSFET (Oxyde Métallique)		8 Dual Cool ™ 88	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					150 V	13A (TA), 72A (TC)	6v, 10v	9MOHM @ 13A, 10V	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	± 20V	5875 PF @ 75 V	-	3.2W (TA), 113W (TC)
FDB2572	1 0000	RFQ	5398	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					150 V	4A (TA), 29A (TC)	6v, 10v	54MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	135W (TC)
FJB5555TM	0 7600	RFQ	9163	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab					1,6 W	D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1																										400 V	5 a								-			NPN	1,5 V @ 1A, 3,5A	20 @ 800mA, 3V	-
Fjp3305h2tu	-	RFQ	4328	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					75 W	À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1																										400 V	4 A								1µA (ICBO)			NPN	1V @ 1A, 4A	26 @ 1A, 5V	4 MHz
FDPF10N60ZUT	1.2200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	246			Canal n					600 V	9A (TC)	10V	800mohm @ 4.5a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1980 PF @ 25 V	-	42W (TC)
FSB70325	5.0900	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 7	En gros	Actif			Support de surface	Module 27-Powerlqfn	Mosfet						télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	3 phase				4.1 A	250 V	1500 VRM
Fcpf380n65fl1	-	RFQ	6833	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					650 V	10.2a (TC)	10V	380mohm @ 5.1a, 10v	5V @ 1MA	43 NC @ 10 V	± 20V	1680 pf @ 100 V	-	33W (TC)
Fqd4p40tm	1 0000	RFQ	8830	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger		0000.00.0000	1			Canal p					400 V	2.7A (TC)	10V	3,1 ohm @ 1,35a, 10v	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 30V	680 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
MM3Z75VC	0,0400	RFQ	172	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F					200 MW	SOD-323F	télécharger	EAR99	8541.10.0050	7 340																			1 V @ 10 mA		45 na @ 52,5 V															75 V	240 ohms
FGP3440G2	-	RFQ	8360	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif											-		0000.00.0000	1
HGTG27N120BN	-	RFQ	8388	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		500 W	À 247	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1				960v, 27a, 3ohm, 15v																					NPT	1200 V	72 A	216 A	2,7 V @ 15V, 27A	2,2mj (on), 2,3mj (off)	270 NC	24ns / 195ns
BS170-D26Z	0,1000	RFQ	172	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	EAR99	8541.21.0095	3 406			Canal n					60 V	500mA (TA)	10V	5OHM @ 200mA, 10V	3V @ 1MA		± 20V	40 pf @ 10 V	-	830mw (TA)