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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Gf1m | - | ![]() | 2560 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Gf1 | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N60SF | 1 8000 | ![]() | 726 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 208 W | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 167 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | Arrêt sur le terrain | 600 V | 40 A | 60 a | 2.8V @ 15V, 20A | 370 µJ (ON), 160µJ (OFF) | 65 NC | 13ns / 90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3706 | 0,6000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | 0000.00.0000 | 500 | Canal n | 20 V | 14.7A (TA), 50A (TC) | 2,5 V, 10V | 9MOHM @ 16.2A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1882 PF @ 10 V | - | 3.8W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB6N40CTM | 0,8100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 400 V | 6A (TC) | 10V | 1OHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcp380n60e | 1,3000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 231 | Canal n | 600 V | 10.2a (TC) | 10V | 380mohm @ 5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 106W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N459atr | 0,0300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 175 V | 175 ° C (max) | 500mA | 6pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4732atr | 0,0300 | ![]() | 2226 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 960 | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP86363-F085 | 1.6600 | ![]() | 8862 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 80 V | 110a (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 10 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3040C | 1.8200 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ecospark® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet), à 263cb | Logique | 150 W | D²pak-6 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 300V, 1kohm, 5v | - | 430 V | 21 A | 1,6 V @ 4V, 6A | - | 15 NC | - / 4,7 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD560YTU | - | ![]() | 5589 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | KSD560 | 1,5 w | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 5 a | 1µA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 3MA, 3A | 5000 @ 3A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp13ta | 1 0000 | ![]() | 9872 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40SL | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-923 | BAS40 | Schottky | SOD-923F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 8 ns | 200 na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 100 mA | 5pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - | ![]() | 5823 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 52A (TA) | 6v, 10v | 15MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 2739 PF @ 15 V | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5252BTR | 0,0200 | ![]() | 7944 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8874 | 0,6600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 116A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 15 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4739A | 0,0300 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C | Par le trou | Axial | 1 W | Axial | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 779 | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2C | - | ![]() | 4914 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | SMB (DO-214AA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 2 A | 20 ns | 5 µA @ 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD434 | 0,3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 36 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 972 | 22 V | 4 A | 100 µA | Pnp | 500 MV @ 200mA, 2A | 40 @ 10mA, 5V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Df02 | 1 0000 | ![]() | 7019 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | Df-s | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN327N | - | ![]() | 9268 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 20 V | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 70MOHM @ 2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 6,3 NC @ 4,5 V | ± 8v | 423 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA5065ADF | 2.5200 | ![]() | 325 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 268 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 50A, 6OHM, 15V | 31,8 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 100 A | 150 a | 2.2 V @ 15V, 50A | 1,35 MJ (ON), 309µJ (OFF) | 72.2 NC | 20,8ns / 62,4ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDB070AN06A0 | 1 0000 | ![]() | 9459 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 15A (TA), 80A (TC) | 10V | 7MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008COTA | 0,0200 | ![]() | 5300 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 60 V | 700 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 50ma, 500mA | 70 @ 50mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738A-T50R | 0,0500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8440 | 2.3200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 80A, 10V | 3V à 250µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 24740 PF @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906TAR | - | ![]() | 2685 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 mA | - | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n3906ta | 1 0000 | ![]() | 3314 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 mA | - | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33740TA | 1 0000 | ![]() | 1559 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8N50NZ | - | ![]() | 5475 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850MOHM @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 25V | 735 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD526YTU | 1 0000 | ![]() | 7595 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 30 W | À 220-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 4 A | 30 µA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 300mA, 3A | 120 @ 500mA, 5V | 8 MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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