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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | 1N4733A-T50R | 0,0300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4733 | 1 W | DO-41 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c4v7 | - | ![]() | 5180 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c4 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1060 | - | ![]() | 3061 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Switchmode ™ | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | MBR106 | Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 800 mV @ 10 a | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50CSDTU | 0,9600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fqpf1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 13A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF44N08T | 0,6700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fqpf4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 80 V | 25a (TC) | 10V | 34MOHM @ 12.5A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 25V | 1430 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C47 | 0,0300 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85C47 | 1,3 W | Do-41g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 36 V | 47 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bar43 | - | ![]() | 7375 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bar4 | Schottky | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 810 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | 150 ° C (max) | 200m | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7696A | 0,1500 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS7696 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP15N50F102 | - | ![]() | 4852 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDP15N | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 106 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c24 | 0,0200 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURD4120S9A-SB82080 | 0,8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX19 | 0,0500 | ![]() | 161 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX19 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 800 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 620 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5227B | - | ![]() | 8785 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 15 µA @ 1 V | 3,6 V | 24 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS15CH60L | 15.4800 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | FSBS15 | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 3 phase | 15 A | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcpf11n65 | 1.5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet ™ | En gros | Actif | - | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fcpf11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 380mohm @ 5.5a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | 1490 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS634BT | 0,1800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | IRFS634 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 803 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5282 | 1 0000 | ![]() | 3457 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 80 V | 900 mV à 100 mA | 4 ns | 100 na @ 55 V | 175 ° C (max) | 200m | 2,5pf @ 0v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdg328p | 1 0000 | ![]() | 6951 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 20 V | 1.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 145MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 337 PF @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008GBU | 0,0200 | ![]() | 3480 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 800 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 11 270 | 60 V | 700 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 50ma, 500mA | 200 @ 50mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcpf7n60nt | 1.4900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 202 | Canal n | 600 V | 6.8A (TC) | 10V | 520 mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 35,6 NC @ 10 V | ± 30V | 960 PF @ 100 V | - | 30,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH40120ADN-F155 | 1 0000 | ![]() | 7700 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | FFSH40120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247 Pistes longs | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 20A | 1,75 V @ 20 A | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N25C | - | ![]() | 5673 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 8.8A (TC) | 10V | 430MOHM @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 710 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdll485b | - | ![]() | 5506 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | SOD-80 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 180 V | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 180 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200m | 6pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA710PZ | - | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 microfet (2x2) | télécharger | EAR99 | 8542.29.0095 | 1 | Canal p | 20 V | 7.8a (TA) | 1,8 V, 5V | 24MOHM @ 7.8A, 5V | 1,5 V @ 250µA | 42 NC @ 5 V | ± 8v | 2015 PF @ 10 V | - | 900mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS5690 | 1 0000 | ![]() | 7301 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 7a (ta) | 6v, 10v | 28MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1107 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5237BTR | 0,0200 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.2 V | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCD620N60ZF | - | ![]() | 4587 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | HiperFet ™, Polar ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 620 mohm @ 3,6a, 10v | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1135 PF @ 25 V | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7672 | 0,4200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 715 | Canal n | 30 V | 16.9A (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,7MOHM @ 16,9A, 10V | 3V à 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3890 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5246BTR | 0,0300 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8026S | 0,9600 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 314 | Canal n | 30 V | 19A (TA), 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 4.3MOHM @ 19A, 10V | 3V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2280 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 41W (TC) |
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