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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | Mpsw56rlrpg | 1 0000 | ![]() | 8987 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 1 W | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 000 | 80 V | 500 mA | 500NA | Pnp | 500 mV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ATAR | 1 0000 | ![]() | 4109 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJX3906TF | 0,0500 | ![]() | 268 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 40 V | 200 mA | 50na | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20F | 0 2200 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Standard | Do-15 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-EGP20F-600039 | 1 348 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,25 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF18N20V2 | 1.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419D3ST | 0,5300 | ![]() | 713 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | HUFA76419 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 713 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 37MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 27,5 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6696 | 0 4600 | ![]() | 217 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 5 V | ± 16V | 1715 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3003R | 0,0200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 56 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4935A | - | ![]() | 1025 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS49 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 23MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Egp30f | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 156 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2757omtf | 0,0200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150mw | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 16 000 | - | 15V | 50m | NPN | 90 @ 5mA, 10V | 1,1 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547TF | 0,0200 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4148CA | - | ![]() | 5189 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 620 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 100 V | 200m | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF7N60LSDTU | 0,5500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 45 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 7A, 470OHM, 15V | 65 ns | - | 600 V | 14 A | 21 A | 2v @ 15v, 7a | 270 µJ (ON), 3,8MJ (OFF) | 24 NC | 120ns / 410ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - | ![]() | 5823 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 52A (TA) | 6v, 10v | 15MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 2739 PF @ 15 V | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5407 | - | ![]() | 4168 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | Standard | Axial | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 170 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh210tf | 0,2800 | ![]() | 513 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,4 w | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | 25 V | 5 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 1,8 V @ 1A, 5A | 70 @ 500mA, 1V | 65 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906 | - | ![]() | 3505 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 2N39 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 mA | 50na | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSS1N60B | 0.1400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 1A (TJ) | 10V | 12OHM @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 30V | 215 PF @ 25 V | - | 17W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz9v1c | 1 0000 | ![]() | 7960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 27 500 | 1,2 V @ 200 mA | 300 na @ 6 V | 9.1 V | 6,6 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5645 | 3.8100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 80A (TA) | 6v, 10v | 9.5MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4468 PF @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFH50US60 | 1 0000 | ![]() | 8423 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Standard | À 247-2 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,54 V @ 50 A | 124 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2K | - | ![]() | 4949 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | SMB (DO-214AA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 2185 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSBF3CH60B | 10.6700 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion-SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 3 phase | 3 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10D | 0,0600 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 915 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z51V | - | ![]() | 7130 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | 200 MW | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-mm5z51v-600039 | 1 | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu4n25TU | 0 4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 250 V | 3A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231BTR | - | ![]() | 1610 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P103A | 0,4300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 59MOHM @ 5.3A, 10V | 3V à 250µA | 8 NC @ 5 V | ± 25V | 535 pf @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 900mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2D | 1 0000 | ![]() | 3420 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 125 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns |
Volume de RFQ moyen quotidien
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