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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FJE3303H2TU | 0,2500 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 20 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 212 | 400 V | 1,5 A | 10µA (ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5A | 14 @ 500mA, 2V | 4 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75309D3S | 0 2900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 70MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 20 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905TFR | 0,0200 | ![]() | 6136 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 373 | 40 V | 200 mA | - | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp2907ata | 0,0400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 7 925 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76429D3_NL | 0,4800 | ![]() | 4596 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 197 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5233B-FS | 0,0200 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA à 3,5 V | 6 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdz7064as | 0,8500 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 30-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 30-BGA (4x3,5) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 5,6MOHM @ 13,5A, 10V | 3V @ 1MA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1960 PF @ 15 V | - | 2.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C20-T50A | 0,0200 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79c20 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI13N06LTU | 0,7200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 13.6a (TC) | 5v, 10v | 110MOHM @ 6.8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6,4 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1023PZ | - | ![]() | 3139 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-VDFN | FDMA1023 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 6 microfet (2x2) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.7a | 72MOHM @ 3,7A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 12nc @ 4,5 V | 655pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDLL914 | 0,0300 | ![]() | 137 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | SOD-80 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 11 539 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mbr4050pt | - | ![]() | 2430 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR4050 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 190 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 40a | 720 MV @ 20 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP121 | - | ![]() | 1846 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TIP121 | 2 W | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 a | 500 µA | Npn - darlington | 4V @ 20mA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS355N | 1 0000 | ![]() | 5910 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156S355N-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 1.6A (TA) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 1.9A, 10V | 2V à 250µA | 5 NC @ 5 V | ± 20V | 245 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP30A | 0,2800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-EGP30A-600039 | 1 156 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 95pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI17N08TU | 0,5100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 80 V | 16,5a (TC) | 10V | 115MOHM @ 8.25A, 10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMB3800N | - | ![]() | 6599 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMB3800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 750mw | 8 MLP, microfet (3x1,9) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 587 | 2 Canaux N (double) | 30V | 4.8a | 40 mohm @ 4.8a, 10v | 3V à 250µA | 5.6nc @ 5v | 465pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c3v3 | - | ![]() | 9435 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BZX85C3V3-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 3,3 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT918 | - | ![]() | 9946 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT918 | 225mw | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 15 dB | 15V | 50m | NPN | 20 @ 3MA, 1V | 600 MHz | 6 dB à 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857cmtf | 0,0200 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8350L | 2.1700 | ![]() | 981 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Power56 | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FDMS8350L | EAR99 | 8541.29.0095 | 139 | Canal n | 40 V | 47A (TA), 290A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,85 mohm @ 47a, 10v | 3V à 250µA | 242 NC @ 10 V | ± 20V | 17500 pf @ 20 V | - | 2.7W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF19430TU | 0,7200 | ![]() | 952 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13003TH2ATU | 0 4600 | ![]() | 900 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 20 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 1,5 A | - | NPN | 3V @ 500mA, 1.5A | 14 @ 500mA, 2V | 4 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA55 | - | ![]() | 7335 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 60 V | 500 mA | 100NA | Pnp | 250 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1v | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf6n40cf | 0,6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 6A (TC) | 10V | 1OHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32825 | 0,0500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 6 662 | 25 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP 20KTA | 0,1500 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | EGP20 | Standard | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914BTR | 0,0300 | ![]() | 186 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | Do-35 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AK | 1 0000 | ![]() | 1193 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1015YTU | 0 4500 | ![]() | 735 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 25 W | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 735 | 60 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 5V | 9mhz |
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