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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | IRF740A | 1 0000 | ![]() | 8305 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c3v6 | 1 0000 | ![]() | 7622 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,3 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF630 | 0,6500 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 464 | Canal n | 200 V | 6.3A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.15a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N80TM | - | ![]() | 6350 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 188 | Canal n | 800 V | 6.6a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 3,3a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75333P3 | 0,8200 | ![]() | 139 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16MOHM @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC388CYTA | 0,0300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | KSC388 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 50 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 200 mV à 1,5ma, 15mA | 20 @ 12,5mA, 12,5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343G3 | 0,8000 | ![]() | 546 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 9MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP25N60N | 4.0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FCP25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125 mOhm @ 12,5a, 10v | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 3352 PF @ 100 V | - | 216W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551YTA | - | ![]() | 5782 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 160 V | 600 mA | - | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 180 @ 10mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kst4401mtf | - | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 7 639 | 40 V | 600 mA | 100NA | NPN | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5988B | 2.7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1,2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z51VC | 0,0300 | ![]() | 142 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 779 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 V | 51 V | 169 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4154 | 1.2700 | ![]() | 218 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 237 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 35 V | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 na @ 25 V | 175 ° C (max) | 100 mA | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N322AP3 | 0 2400 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 35A, 10V | 3V à 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 970 PF @ 15 V | - | 50W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4008R | 0,0200 | ![]() | 8624 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP10TA | 0,0400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 7 036 | - | 25V | - | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF680N10T | 0,6200 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 481 | Canal n | 100 V | 12A (TC) | 10V | 68MOHM @ 6A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 50 V | - | 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM15SL60 | 20h0000 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 3 phase | 15 A | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS22 | - | ![]() | 5765 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 500 mV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3615S | - | ![]() | 7214 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3615 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (double) asymétrique | 25V | 16a, 18a | 5,8MOHM @ 16A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27nc @ 10v | 1765pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVF6003SB6T1G | - | ![]() | 2058 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 800mw | 6 cmph | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-NSVF6003SB6T1G-600039 | 1 | 9 dB | 12V | 150m | NPN | 100 @ 50mA, 5V | 7 GHz | 3 dB à 1Hz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c4v3-fs | 1 0000 | ![]() | 2792 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 13 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bdx34b | - | ![]() | 5270 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 70 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 80 V | 10 a | 500 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 6MA, 3A | 750 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751A | 0,0300 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C | Par le trou | Axial | 1 W | Axial | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 779 | 5 µA @ 22,8 V | 30 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08 | 0,3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 80 V | 16,5a (TC) | 10V | 115MOHM @ 8.25A, 10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8860AS | 0 2900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS8860 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC307BTA | - | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA | Pnp | 500 mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2MA, 5V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ndtl01n60zt1g | 0 1700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 (à 261) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 250mA (TC) | 15OHM @ 400mA, 10V | 4,5 V @ 50µA | 4.9 NC @ 10 V | ± 30V | 92 PF @ 25 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bat54a | - | ![]() | 3675 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 (à 236) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 200m | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJAF4210OTU | 1.2400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | 80 W | To-3pf | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 10 a | 10µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 500mA, 5A | 70 @ 3A, 4V | 30 MHz |
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