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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
2N7000BU	-	RFQ	9862	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	10 000			Canal n	60 V	200mA (TC)	4,5 V, 10V	5OHM @ 500mA, 10V	3V @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	400mw (TA)
KSC2316OTA	1 0000	RFQ	9768	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)			900 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																								120 V	800 mA				100NA (ICBO)				NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120 MHz
FQB2P40TM	0,4100	RFQ	4027	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	29			Canal p	400 V	2A (TC)	10V	6,5 ohm @ 1a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 63W (TC)
MMBT2222	0,0200	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		350 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																								30 V	600 mA				10µA (ICBO)				NPN	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250 MHz
Fep16cta	0,6100	RFQ	130	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3		Standard			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												1 paire Commune d'anode	150 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
NTSV20120CTG	0.4900	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-NTSV20120CTG-600039			1
MM5Z6V2	1 0000	RFQ	1926	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523	MM5Z6		200 MW		SOD-523	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	8 000																			3 µA @ 4 V												6.2 V	10 ohms
HUF76407D3ST	-	RFQ	2034	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	60 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	92MOHM @ 13A, 10V	3V à 250µA	11.3 NC @ 10 V	± 16V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
FDPF55N06	0,8700	RFQ	97	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	344			Canal n	60 V	55A (TC)	10V	22MOHM @ 27,5A, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	± 25V	1510 PF @ 25 V	-	48W (TC)
Fdpf9n50nz	-	RFQ	2422	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3 fullpack / to-220f-3sg	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDPF9N50NZ-600039			1			Canal n	500 V	9A (TC)	10V	800mohm @ 4.5a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1030 pf @ 25 V	-	44W (TC)
FDP032N08	-	RFQ	9849	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDP032N08-600039			1			Canal n	75 V	120A (TC)	10V	3,2MOHM @ 75A, 10V	4,5 V @ 250µA	220 NC @ 10 V	± 20V	15160 pf @ 25 V	-	375W (TC)
Fqd6n60ctf	-	RFQ	5291	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	600 V	4A (TC)	10V	2OHM @ 2A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	810 PF @ 25 V	-	80W (TC)
FDG315N	0,2600	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	FDG315	MOSFET (Oxyde Métallique)			SC-88 (SC-70-6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000			Canal n	30 V	2a (ta)	4,5 V, 10V	120 mohm @ 2a, 10v	3V à 250µA	4 NC @ 5 V	± 20V	220 pf @ 15 V	-	750MW (TA)
FDC655BN-F40	-	RFQ	1048	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)			Supersot ™ -6	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDC655BN-F40-600039			1			Canal n	30 V	6.3A (TA)	4,5 V, 10V	25MOHM @ 6.3A, 10V	3V à 250µA	13 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 15 V	-	800mw (TC)
MMBZ5229B	-	RFQ	7436	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW		SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																	900 mV @ 10 mA		5 µA @ 1 V												4.3 V	22 ohms
HUFA75639S3ST	1.4800	RFQ	33	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	HUFA75	MOSFET (Oxyde Métallique)			D²PAK (à 263AB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	800			Canal n	100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
FQB5N60CTM	0,6000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FQB5	MOSFET (Oxyde Métallique)			D²PAK (à 263AB)	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	800			Canal n	600 V	4.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 100W (TC)
KSE800STU	0.4400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			40 W		TO-126-3	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-KSE800STU-600039			747																								60 V	4 A				100 µA				Npn - darlington	2,5 V @ 30mA, 1,5A	750 @ 1,5a, 3v	-
GBPC15005W	2.6200	RFQ	500	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC15005	Standard			GBPC-W	télécharger					EAR99	8541.10.0080	125																	1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 50 V		15 A						Monophasé	50 V
HUF76139P3_NS2552	1 0000	RFQ	9045	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
HUF75831SK8T	0,8400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	150 V	3a (ta)	10V	95MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	± 20V	1175 PF @ 25 V	-	2.5W (TA)
MPSA20	0,0400	RFQ	97	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW		À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	5 000																								40 V	100 mA				100NA (ICBO)				NPN	250 MV @ 1MA, 10MA	40 @ 5mA, 10V	125 MHz
HUF75639S3_NL	1.1300	RFQ	655	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
FMG2G300LS60E	-	RFQ	7762	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	19 h ha	Fmg2		892 W	Standard	19 h ha	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3	Demi-pont																						-	600 V	300 A	1,8 V @ 15V, 300A			250 µA	Non
FDMS0355S	0,2700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6), Power56	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	30 V	18A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 18A, 10V	3V @ 1MA	31 NC @ 10 V	± 20V	1815 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 36W (TC)
MPSH34	-	RFQ	5158	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 694																								40 V	50 mA				50NA (ICBO)				NPN	500 mV @ 2MA, 7MA	15 @ 20mA, 2V	500 MHz
MMSD485B	0,0600	RFQ	98	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SOD-123	MMSD48	Standard			SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																		150 ° C (max)	-	-
FQP19N10L	0,4100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n	100 V	19A (TC)	5v, 10v	100MOHM @ 9.5A, 10V	2V à 250µA	18 NC @ 5 V	± 20V	870 pf @ 25 V	-	75W (TC)
FDC697P	0,7200	RFQ	69	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-SSOT À PLAGE PLAT, SuperSot ™ -6 FLMP		MOSFET (Oxyde Métallique)			Supersot ™ -6 flmp	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-FDC697P-600039			1			Canal p	20 V	8a (ta)	1,8 V, 4,5 V	20 mohm @ 8a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	55 NC @ 4,5 V	± 8v	3524 PF @ 10 V	-	2W (ta)
SFR9210TF	-	RFQ	7818	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal p	200 V	1.6A (TC)	10V	3OHM @ 800mA, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	285 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 19W (TC)