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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Current - Rectifié Moyen (IO) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) | Drain de Courant (ID) - Max |
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![]() | FDMS7600AS | 1.0800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMS7600 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 279 | 2 Canaux N (double) | 30V | 12A, 22A | 7,5 mohm @ 12a, 10v | 3V à 250µA | 28nc @ 10v | 1750pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL50N60RUFDTU | - | ![]() | 3313 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | SGL50N60 | Standard | 250 W | HPM F2 | - | 0000.00.0000 | 1 | 300 V, 50A, 5,9 ohms, 15v | 100 ns | - | 600 V | 80 A | 150 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 1 68MJ (ON), 1 03MJ (OFF) | 145 NC | 26NS / 66NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF44N10 | 1.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 100 V | 33A (TC) | 10V | 39MOHM @ 16,5A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8750 | 0,3700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 6.5A (TA), 2.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 40 mohm @ 2,7a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 425 PF @ 13 V | - | 3.7W (TA), 18W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx597jhtf | 0,0200 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 100 MW | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 3,5pf @ 5v | 20 V | 150 µA @ 5 V | 600 mV à 1 µA | 1 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB13N06LTM | 0,3700 | ![]() | 6352 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 569 | Canal n | 60 V | 13.6a (TC) | 5v, 10v | 110MOHM @ 6.8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6,4 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5810 | 0,9000 | ![]() | 540 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 7.4a (TA), 37A (TC) | 5v, 10v | 22MOHM @ 32A, 10V | 2V à 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1890 PF @ 25 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd20n06letm | 0,3100 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 17.2a (TC) | 5v, 10v | 60mohm @ 8,6a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 665 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP13N60UFDTU | 1.2100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SGP13N60 | Standard | 60 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 300 V, 6,5A, 50 ohms, 15v | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (ON), 95µJ (OFF) | 25 NC | 20ns / 70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP70N08 | 1.1200 | ![]() | 797 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 80 V | 70A (TC) | 10V | 17MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 25V | 2700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA180N30DTU | 4.0400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA180 | Standard | 480 W | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | - | 300 V | 180 A | 450 A | 1,4 V @ 15V, 40A | - | 185 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6010B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 21 V | 27 V | 70 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | USB10H | 1 0000 | ![]() | 1200 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | USB10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.9A | 170MOHM @ 1,9A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5 V | 441pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N259 | 1 0000 | ![]() | 2127 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA @ 1 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2W10G | 1 0000 | ![]() | 1856 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 circulaires, WOB | Standard | Patauger | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA15N65 | 2.2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 16A (TC) | 10V | 440MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 3095 PF @ 25 V | - | 260W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c7v5 | 0,0200 | ![]() | 7856 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 335 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 5 V | 7,5 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL540A | 0,7000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 5V | 58MOHM @ 14A, 5V | 2V à 250µA | 54 NC @ 5 V | ± 20V | 1580 pf @ 25 V | - | 121W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c56 | 0,0200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 39,2 V | 56 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd6n25tf | - | ![]() | 4233 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,2a, 10v | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76407DK8T | 1 0000 | ![]() | 3298 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HUFA76407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | - | 90MOHM @ 3,8A, 10V | 3V à 250µA | 11.2nc @ 10v | 330pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75307D3ST | 0 2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 15A (TC) | 10V | 90MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 20 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1393YBU | 0,0200 | ![]() | 879 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 20 dB ~ 24 dB | 30V | 20 mA | NPN | 90 @ 2MA, 10V | 700 MHz | 2DB ~ 3DB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6894A | 0,7200 | ![]() | 7861 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS68 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 408 | 2 Canaux N (double) | 20V | 8a | 17MOHM @ 8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 24 NC à 4,5 V | 1676pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP120AN15A0 | 0,9000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 150 V | 2.8A (TA), 14A (TC) | 6v, 10v | 120 MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE5020 | 1 0000 | ![]() | 2732 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 30 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 500 V | 3 A | 10µA (ICBO) | NPN | 1V @ 300mA, 1,5A | 15 @ 300mA, 5V | 18 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF12N60 | 2.8800 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 5.8A (TC) | 10V | 700MOHM @ 2,9A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088SN3 | 1.4100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G100US60H | 41.1600 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 400 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Célibataire | - | 600 V | 100 A | 2,8 V @ 15V, 100A | 250 µA | Non | 10.84 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N755A | 2.0800 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 7,5 V | 6 ohms |
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