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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | Irfr430btm | 0,2700 | ![]() | 264 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,75a, 10v | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT3055 | - | ![]() | 1770 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 4a (ta) | 10V | 100mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 30 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9933A | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS993 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 930 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.8a | 140 mohm @ 2,8a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8.5nc @ 4,5 V | 405pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9214TU | 0,3200 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 250 V | 1.53A (TC) | 10V | 4OHM @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc6683pz | - | ![]() | 3427 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Fdmc66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal p | 20 V | 40A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 12V | 7995 PF @ 10 V | - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5680 | 1.7400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 40A (TC) | 6v, 10v | 20mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76432P3 | - | ![]() | 5532 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 566 | Canal n | 60 V | 59a (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 59A, 10V | 3V à 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8025AS | 0,4300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS8025 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCU850N80Z | 1.1700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 257 | Canal n | 800 V | 6A (TC) | 10V | 850mohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 600 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1315 PF @ 100 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH11 | 0,0500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | - | 25V | 50m | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8444L | 1.1200 | ![]() | 337 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 16A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,2MOHM @ 50A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 5 V | ± 20V | 5530 pf @ 25 V | - | 153W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V6C | 0,0300 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 1 V @ 10 mA | 4,5 µA @ 1 V | 3,6 V | 84 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7580 | 0,7400 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 404 | Canal n | 25 V | 15A (TA), 29A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 15a, 10v | 3V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 1190 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD2012YTU | 0,2000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 25 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 5V | 3 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA5065ADF | 2.5200 | ![]() | 325 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 268 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 50A, 6OHM, 15V | 31,8 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 100 A | 150 a | 2.2 V @ 15V, 50A | 1,35 MJ (ON), 309µJ (OFF) | 72.2 NC | 20,8ns / 62,4ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa928ayta | 0.1400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 1 W | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 153 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 2v @ 30mA, 1,5a | 160 @ 500mA, 2V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4151TR | 0,0200 | ![]() | 158 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 30 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | 175 ° C (max) | 150m | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8874 | 0 7600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 116A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdg328p | 1 0000 | ![]() | 6951 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 20 V | 1.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 145MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 337 PF @ 10 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4001 | 0,0800 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF400 | Standard | DO-41 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-UF4001-600039 | 3 899 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5230B | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | - | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6993 | 1.0100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS69 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30v, 12v | 4.3a, 6.8a | 55MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 7.7nc @ 5v | 530pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd2n50tf | 0,3400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 1.6A (TC) | 10V | 5,3 ohm @ 800mA, 10V | 5V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C13 | 0,0500 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP9N90C | 2.1200 | ![]() | 364 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 142 | Canal n | 900 V | 8A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 4a, 10v | 5V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 2730 pf @ 25 V | - | 205W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT200 | - | ![]() | 9440 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MMBT200-600039 | 1 | 45 V | 500 mA | 50na | Pnp | 400 mV @ 20mA, 200mA | 100 @ 150mA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3670 | 1.6700 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 6.3A (TA) | 6v, 10v | 32MOHM @ 6.3A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2490 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SOD-123 | Standard | SOD-123 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MMSD4148-D87Z-600039 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J175 | 0 1200 | ![]() | 2089 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2156-J175-FS | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal p | 5.5pf @ 10v (VGS) | 30 V | 7 Ma @ 15 V | 3 V @ 10 na | 125 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB564AOBU | - | ![]() | 6910 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 25 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 70 @ 100mA, 1v | 110 MHz |
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