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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FQB19N20LTM | 1 0000 | ![]() | 5433 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 21A (TC) | 5v, 10v | 140mohm @ 10.5a, 10v | 2V à 250µA | 35 NC @ 5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BBU | - | ![]() | 2021 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 450 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 270 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2316OTA | 1 0000 | ![]() | 9768 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 900 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 120 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7000BU | - | ![]() | 9862 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Canal n | 60 V | 200mA (TC) | 4,5 V, 10V | 5OHM @ 500mA, 10V | 3V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 400mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB2P40TM | 0,4100 | ![]() | 4027 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 29 | Canal p | 400 V | 2A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC697P | 0,7200 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-SSOT À PLAGE PLAT, SuperSot ™ -6 FLMP | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 flmp | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-FDC697P-600039 | 1 | Canal p | 20 V | 8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 20 mohm @ 8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 55 NC @ 4,5 V | ± 8v | 3524 PF @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTSV20120CTG | 0.4900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-NTSV20120CTG-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP19N10L | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 19A (TC) | 5v, 10v | 100MOHM @ 9.5A, 10V | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
MMSD485B | 0,0600 | ![]() | 98 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-123 | MMSD48 | Standard | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 150 ° C (max) | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG315N | 0,2600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG315 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 30 V | 2a (ta) | 4,5 V, 10V | 120 mohm @ 2a, 10v | 3V à 250µA | 4 NC @ 5 V | ± 20V | 220 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FFD08S60S-F085 | - | ![]() | 2501 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, Stealth ™ II | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Standard | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,6 V @ 8 A | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8298 | 1 0000 | ![]() | 4977 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | Mourir | Fdmc82 | - | - | Mourir | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA86551L | 1 0000 | ![]() | 7782 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 microfet (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 7.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 7.5A, 10V | 3V à 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 30 V | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3070 | 6.2400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 49 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 175 V | 175 ° C (max) | 500mA | 5pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST | 1.4800 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | HUFA75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²PAK (à 263AB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5229B | - | ![]() | 7436 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N60CTM | 0,6000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FQB5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²PAK (à 263AB) | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | Canal n | 600 V | 4.5a (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2,25a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7570S | 0,5400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 558 | Canal n | 25 V | 28A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 95 mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4515 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC15005W | 2.6200 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC15005 | Standard | GBPC-W | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 125 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 50 V | 15 A | Monophasé | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE800STU | 0.4400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 40 W | TO-126-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-KSE800STU-600039 | 747 | 60 V | 4 A | 100 µA | Npn - darlington | 2,5 V @ 30mA, 1,5A | 750 @ 1,5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA20 | 0,0400 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 1MA, 10MA | 40 @ 5mA, 10V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0355S | 0,2700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6), Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 3V @ 1MA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1815 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH34 | - | ![]() | 5158 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 694 | 40 V | 50 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 7MA | 15 @ 20mA, 2V | 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z6V2 | 1 0000 | ![]() | 1926 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | MM5Z6 | 200 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP032N08 | - | ![]() | 9849 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDP032N08-600039 | 1 | Canal n | 75 V | 120A (TC) | 10V | 3,2MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 15160 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdpf9n50nz | - | ![]() | 2422 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 fullpack / to-220f-3sg | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FDPF9N50NZ-600039 | 1 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4.5a, 10v | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF55N06 | 0,8700 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 344 | Canal n | 60 V | 55A (TC) | 10V | 22MOHM @ 27,5A, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 25V | 1510 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407D3ST | - | ![]() | 2034 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 92MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd6n60ctf | - | ![]() | 5291 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 810 PF @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC655BN-F40 | - | ![]() | 1048 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDC655BN-F40-600039 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 6.3A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 15 V | - | 800mw (TC) |
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