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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | IRLR210ATM | 0,5200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 2.7A (TC) | 5V | 1,5 ohm @ 1,35a, 5v | 2V à 250µA | 9 NC @ 5 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75637S3S | - | ![]() | 5354 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 44a (TC) | 10V | 30MOHM @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K460P3 | 1.1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Furtivité ™ | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 | ISL9K460 | Standard | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 4A | 2,4 V @ 4 A | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4835dy | 0 2500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 8.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 20 mohm @ 8,8a, 10v | 3V à 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 1680 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c3v9 | 0,0300 | ![]() | 138 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,9 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD535J | 0,2000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 50 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 200 | 60 V | 8 A | 100 µA | NPN | 800mV @ 200mA, 2A | 30 @ 2a, 2v | 12 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50 | 0,8500 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 5.3A (TC) | 10V | 730mohm @ 2 65a, 10v | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1450 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N50C | 0,7000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 PF @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8878 | - | ![]() | 8504 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMC88 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 30 V | 9.6A (TA), 16,5a (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 9.6A, 10V | 3V à 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5690 | 1 0000 | ![]() | 9120 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 6v, 10v | 27MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 PF @ 25 V | - | 3.2W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX20 | 0,0300 | ![]() | 6279 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 9 000 | 25 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 620 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF14N30 | 1.0400 | ![]() | 310 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 310 | Canal n | 300 V | 11.4a (TC) | 10V | 290MOHM @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1360 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntd5c446nt4g | 1.3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-NTD5C446NT4G-600039 | 1 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 3,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 34.3 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 20 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6609A | 1.1200 | ![]() | 9304 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 185 | Canal p | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5237B | 0,0200 | ![]() | 147 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.2 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfi624btufp001 | 0.1400 | ![]() | 9856 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,05a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N06 | 0,3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 135MOHM @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 310 PF @ 25 V | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670AS | 1 0000 | ![]() | 7291 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.5A, 10V | 3V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1540 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4091 | - | ![]() | 3799 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-mmbf4091-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFH30US30DN | - | ![]() | 5936 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Furtivité ™ | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Standard | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 90 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 30A | 1 V @ 30 A | 55 ns | 100 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N20 | 0,2700 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 2.8A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 1,4a, 10v | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA28N50F | - | ![]() | 2936 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Frfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 500 V | 28.4A (TC) | 10V | 160MOHM @ 14.2A, 10V | 5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5256BTR | 0,0200 | ![]() | 159 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5256 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6606 | 0,7200 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 75A (TA) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76419D3 | 0 2400 | ![]() | 4250 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 140 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 37MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 27,5 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8442-F085-FS | 1.6100 | ![]() | 351 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 28A (TA), 80A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001 | 0,0200 | ![]() | 131 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K460P3_Q | 1 0000 | ![]() | 9365 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3602as | 0,9400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3602 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.2W, 2,5W | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (double) asymétrique | 25V | 15a, 26a | 5,6MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 27nc @ 10v | 1770pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA51060T3 | 9.3200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 55 | En gros | Actif | Par le trou | Module 20-Powerdip (1 220 ", 31,00 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 10 a | 600 V | 1500 VRM |
Volume de RFQ moyen quotidien
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