SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Actualiser Tension Tension - isolement Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
FMG1G50US60L Fairchild Semiconductor FMG1G50US60L 36.8400
RFQ
ECAD 46 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 19 H GA 250 W Standard 19 H GA télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 15 Célibataire - 600 V 50 a 2,8 V @ 15V, 50A 250 µA Non 3,46 nf @ 30 V
FPF2C8P2NL07A Fairchild Semiconductor Fpf2c8p2nl07a 81.4200
RFQ
ECAD 131 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module f2 135 W Standard F2 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Triphasé Arrêt sur le terrain 650 V 30 A 2.2V @ 15V, 30A 250 µA Oui
SI4431DY Fairchild Semiconductor Si4431dy 0 2200
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 6.3A (TA) 4,5 V, 10V 32MOHM @ 7A, 10V 3V à 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 930 pf @ 15 V - 1W (ta)
BCP69 Fairchild Semiconductor BCP69 0,1500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa BCP69 1 W SOT-223-4 télécharger EAR99 8541.29.0075 1 20 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 500 MV à 100MA, 1A 85 @ 500mA, 1V -
FQP55N06 Fairchild Semiconductor FQP55N06 1.3100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 55A (TC) 10V 20mohm @ 27,5a, 10v 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 25V 1690 pf @ 25 V - 133W (TC)
FCPF260N60E Fairchild Semiconductor FCPF260N60E 1.8500
RFQ
ECAD 190 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Superfet® II En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 260MOHM @ 7,5A, 10V 3,5 V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 36W (TC)
ISL9V3036S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3036S3ST 2.4300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ecospark® En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab ISL9V3036 Logique 150 W À 263ab télécharger EAR99 8542.39.0001 1 300V, 1kohm, 5v - 360 V 21 A 1,6 V @ 4V, 6A - 17 NC - / 4,8 µs
MMBT2907-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907-D87Z 0,0300
RFQ
ECAD 494 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 télécharger Non applicable EAR99 8541.21.0095 10 000 40 V 800 mA 20NA (ICBO) Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
HUF76143P3 Fairchild Semiconductor HUF76143P3 0,7000
RFQ
ECAD 108 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 5,5 mohm @ 75a, 10v 3V à 250µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
FQD4N50TM Fairchild Semiconductor FQD4N50TM 0,3600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 2.6a (TC) 10V 2,7 ohm @ 1,3a, 10v 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2,5W (TA), 45W (TC)
MMBZ5233B Fairchild Semiconductor MMBZ5233B -
RFQ
ECAD 2732 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 - Rohs non conforme Vendeur indéfini 2156-MMBZ5233B-600039 1 900 mV @ 10 mA 5 µA à 3,5 V 6 V 7 ohms
FMS6G20US60 Fairchild Semiconductor FMS6G20US60 -
RFQ
ECAD 7259 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 25 PM-AA 89 W Redredeur de pont en trois phases 25 PM-AA télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 4 Onduleur Triphasé - 600 V 20 a 2,7 V @ 15V, 20A 250 µA Oui 1.277 NF @ 30 V
HUF75637S3S Fairchild Semiconductor HUF75637S3S -
RFQ
ECAD 5354 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 100 V 44a (TC) 10V 30MOHM @ 44A, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
FSB660A Fairchild Semiconductor FSB660A -
RFQ
ECAD 7756 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23-3 télécharger EAR99 8541.21.0095 1 60 V 2 A 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 200mA, 2A 250 @ 500mA, 2V 75 MHz
1N5821 Fairchild Semiconductor 1N5821 0,2000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-201AAAA, DO-27, Axial 1N58 Schottky DO-2010 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 1 603 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 900 mV @ 9,4 A 2 ma @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BC556B Fairchild Semiconductor BC556B 0,0500
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 2 000 65 V 100 mA 100NA Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 180 @ 2MA, 5V 280 MHz
BC548BBU Fairchild Semiconductor BC548BBU 0,0200
RFQ
ECAD 4079 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 1 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
FSBB30CH60F Fairchild Semiconductor FSBB30CH60F 22.7400
RFQ
ECAD 403 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Motion SPM® 3 En gros Actif Par le trou Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) Igbt télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 1 Onduleur Triphasé 30 A 600 V 2500 VRM
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor FQB1P50TM -
RFQ
ECAD 1733 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 500 V 1.5A (TC) 10V 10,5 ohm @ 750mA, 10V 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 63W (TC)
FSB50450TB Fairchild Semiconductor FSB50450 à 6.4500
RFQ
ECAD 360 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild SPM® Tube Obsolète Par le trou Module 23-Powerdip (0 748 ", 19,00 mm) Mosfet télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 15 3 phase 1,5 A 500 V 1500 VRM
HGT1S2N120CN Fairchild Semiconductor HGT1S2N120CN 1.8700
RFQ
ECAD 87 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Standard 104 W À 262 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 960v, 2,6a, 51 ohms, 15v NPT 1200 V 13 A 20 a 2,4 V @ 15V, 2.6A 96µJ (ON), 355µJ (OFF) 30 NC 25ns / 205ns
MJD31CEITU Fairchild Semiconductor MJD31Ceitu 0,3200
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MJD31 1,56 W À 252-3 (DPAK) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 50 µA NPN 1,2 V @ 375mA, 3A 60 @ 100mA, 1V 3 MHz
KST42MTF Fairchild Semiconductor KST42MTF -
RFQ
ECAD 1462 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 2MA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50 MHz
MPSA05RA Fairchild Semiconductor MPSA05RA 0,0700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 5 829 60 V 500 mA 100 µA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
SI3457DV Fairchild Semiconductor Si3457dv -
RFQ
ECAD 9186 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 30 V 4a (ta) 4,5 V, 10V 50MOHM @ 4A, 10V 3V à 250µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
FDD6780A Fairchild Semiconductor FDD6780A 0,5200
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 FDD678 MOSFET (Oxyde Métallique) D-Pak (à 252) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 579 Canal n 25 V 16.4A (TA), 30A (TC) 4,5 V, 10V 8,6MOHM @ 16,4A, 10V 3V à 250µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1235 PF @ 13 V - 3.7W (TA), 32,6W (TC)
2N6518TA Fairchild Semiconductor 2N6518TA 0,0500
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 2 000 250 V 500 mA 50NA (ICBO) Pnp 1V @ 5mA, 50mA 45 @ 50mA, 10V 200 MHz
BZX85C56 Fairchild Semiconductor BZX85C56 0,0400
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 1 000 1,2 V @ 200 mA 500 na @ 39 V 56 V 120 ohms
BC308A Fairchild Semiconductor BC308A 0,0200
RFQ
ECAD 1164 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 2 396 25 V 100 mA 15NA Pnp 500 mV @ 5mA, 100mA 120 @ 2MA, 5V 130 MHz
BZX85C5V6-T50R Fairchild Semiconductor Bzx85c5v6-t50r 0,0400
RFQ
ECAD 48 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 - Vendeur indéfini Atteindre Affeté 2156-BZX85C5V6-T50R-600039 1 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 2 V 5.6 V 7 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock