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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
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![]() | FDP150N10A-F102 | 1 0000 | ![]() | 3877 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDP150N10A-F102-600039 | 1 | Canal n | 100 V | 50A (TC) | 10V | 15MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 PF @ 50 V | - | 91W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905BU | - | ![]() | 9899 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 40 V | 200 mA | - | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670AS | 1 0000 | ![]() | 7291 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.5A, 10V | 3V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1540 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB11N40TM | 0,5200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c33 | 0,0200 | ![]() | 134 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79c33 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 23,1 V | 33 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH30120ADN-F155 | - | ![]() | 9741 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 15A (DC) | 1,75 V @ 15 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB2532-F085 | - | ![]() | 3736 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 79a (TC) | 6v, 10v | 16MOHM @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 5870 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5821 | 0,2000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | 1N58 | Schottky | DO-2010 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 603 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 900 mV @ 9,4 A | 2 ma @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE350STU-FS | - | ![]() | 6894 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | MJE350 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 20 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | Pnp | - | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z3V0 | 1 0000 | ![]() | 6267 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6,67% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP10N60C | 1.0900 | ![]() | 4844 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 244 | Canal n | 600 V | 9.5A (TC) | 10V | 730MOHM @ 4.75A, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 PF @ 25 V | - | 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1013OBU | - | ![]() | 7653 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | KSA1013 | 900 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 160 V | 1 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 1,5 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 200mA, 5V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA27 | 1 0000 | ![]() | 6594 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 60 V | 500 mA | 500NA | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdh047an08ad | - | ![]() | 1545 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDH047AN08AD-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fpam50lh60 | 31.8600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PFC SPM® 2 | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 phases | 50 a | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP2160DTU | - | ![]() | 9337 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | ESBC ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FJP216 | 100 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800 V | 2 A | 100 µA | NPN | 750 MV à 330mA, 1A | 20 @ 400mA, 3V | 5 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N50 | 0 4700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 2.3A (TC) | 10V | 2,7 ohm @ 1,15A, 10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF70N15 | 2.3700 | ![]() | 925 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 150 V | 44a (TC) | 10V | 28MOHM @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 10 V | ± 25V | 5400 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V3C | 0,0400 | ![]() | 210 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 103 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µA @ 1 V | 4.3 V | 84 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N964BTR | 0,0200 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 9,9 V | 13 V | 13 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G50US60L | 36.8400 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 250 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Célibataire | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 3,46 nf @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp45tf | 0,0400 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 350 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6609A | 1.1200 | ![]() | 9304 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 185 | Canal p | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4010R | 0,0200 | ![]() | 9922 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 12 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76609D3S | - | ![]() | 2128 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | Canal n | 100 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 160MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz5v6c | 0,0200 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1,2 V @ 200 mA | 750 na @ 2,5 V | 5,8 V | 10,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP850N80Z | - | ![]() | 8496 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 600 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1315 PF @ 100 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDM2452NZ | - | ![]() | 3835 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WFDFN | FDM2452 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | 6 MLP (2x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 196 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | 8.1a (TA) | 21MOHM @ 8.1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 19nc @ 4,5 V | 980pf @ 15v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5086BU | 0,0200 | ![]() | 96 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 50 V | 100 mA | 50na | Pnp | 300 mV @ 1MA, 10mA | 150 @ 100µA, 5V | 40 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM10SH60 | 16.8100 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 3 phase | 10 a | 600 V | 2500 VRM |
Volume de RFQ moyen quotidien
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