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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Couprage de tension Au Courant - FUITE INVERSÉ @ VR | COUPLIER COURANT à la tension - en Avant (VF) (max) @ si |
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![]() | FGBS3040E1-SN00390 | 2.8000 | ![]() | 399 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FGBS3040E1-SN00390-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr430btf | 0.4400 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 500 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,75a, 10v | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N456atr | 0,0300 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 25 V | 175 ° C (max) | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF7N50 | 0,7100 | ![]() | 265 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 7a (TC) | 10V | 900mohm @ 3,5a, 10v | 5V @ 250µA | 16,6 NC @ 10 V | ± 30V | 940 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559CTA | - | ![]() | 8389 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76145S3ST | 1.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z-FS | 0,0200 | ![]() | 175 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1d | 0.1300 | ![]() | 68 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 441 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550BTA | 0,0200 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC630C | 0,1100 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736AT50A | 1 0000 | ![]() | 5856 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 4 V | 6,8 V | 3,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST64MTF | 0,0500 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4431dy | 0 2200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5500-F085 | 1 0000 | ![]() | 5477 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 7MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 269 NC @ 20 V | ± 20V | 3565 PF @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75852G3 | 8.6700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 75A (TC) | 10V | 16MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 480 NC @ 20 V | ± 20V | 7690 PF @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMB3900AN | 1 0000 | ![]() | 4924 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMB3900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw | 8 MLP, microfet (3x1,9) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 25V | 7a | 23MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 17nc @ 10v | 890pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5200OTU | - | ![]() | 3778 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | 150 W | À 264-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-2SC5200OTU-600039 | 1 | 250 V | 17 A | 5µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP15P12 | - | ![]() | 7758 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 120 V | 15A (TC) | 10V | 200 mohm @ 7,5a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z3V0 | 1 0000 | ![]() | 6267 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6,67% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf2na90 | - | ![]() | 4799 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 364 | Canal n | 900 V | 1.7A (TC) | 10V | 5,8 ohm @ 850mA, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6717 | - | ![]() | 4983 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Nzt67 | 1 W | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 219 | 80 V | 1.2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350 MV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB2532-F085 | - | ![]() | 3736 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 79a (TC) | 6v, 10v | 16MOHM @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 5870 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N457A | - | ![]() | 1099 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 | 1 | -65 ° C ~ 150 ° C | 150m | - | 70 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD82100 | - | ![]() | 7058 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-POWERWDFN | Fdmd82 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 12 Puisse3.3x5 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 100V | 7a | 19MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 17nc @ 10v | 1070pf @ 50v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFA10U120DNTU | 1.6200 | ![]() | 902 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 10A | 3,5 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB11N40TM | 0,5200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS510A | - | ![]() | 6743 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 4.5a (TC) | 10V | 400 MOHM @ 2 25A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 21W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP045N10A | 1 0000 | ![]() | 5768 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FDP045 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 10V | 4,5 mohm @ 100a, 10v | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 263W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH30120ADN-F155 | - | ![]() | 9741 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 15A (DC) | 1,75 V @ 15 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP10N60C | 1.0900 | ![]() | 4844 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 244 | Canal n | 600 V | 9.5A (TC) | 10V | 730MOHM @ 4.75A, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 PF @ 25 V | - | 156W (TC) |
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