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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FDMD8260L | 1.6600 | ![]() | 122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-POWERWDFN | FDMD8260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 12 Puisse3.3x5 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 5,8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 68nc @ 10v | 5245pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPNH10 | - | ![]() | 5662 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 315 | - | 25V | 50m | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF17N60NT | - | ![]() | 4382 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 17A (TC) | 10V | 340 mOhm @ 8,5a, 10v | 5V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 3040 PF @ 25 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF27N25 | 1.2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 19A (TC) | 10V | 110MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 2450 pf @ 25 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3C | - | ![]() | 9992 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz2v2a | - | ![]() | 3701 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 55 µA à 700 mV | 2,2 V | 35 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA4060ADF | 2.2300 | ![]() | 275 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 238 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 40A, 6OHM, 15V | 26 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 80 A | 120 A | 2.3 V @ 15V, 40A | 1 37mj (on), 250 µJ (off) | 55,5 NC | 16,8ns / 54,4ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z16VB | 0,0200 | ![]() | 2220 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 11,2 V | 16 V | 37 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2334Y | 0,7000 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 1,5 w | À 220-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 429 | 100 V | 7 A | 10µA (ICBO) | NPN | 600 MV à 500mA, 5A | 120 @ 3A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D44C8 | 1 0000 | ![]() | 8509 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | D44c | 60 W | À 220-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 4 A | 10 µA | NPN | 500 mV @ 50mA, 1A | 20 @ 2a, 1v | 40 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS614B | 0,1800 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 664 | Canal n | 250 V | 2.8A (TJ) | 10V | 2OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 10,5 NC @ 10 V | ± 30V | 275 PF @ 25 V | - | 22W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76437S3ST | 1.2100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 71A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 71A, 10V | 3V à 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 16V | 2230 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c33 | 1 0000 | ![]() | 5973 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85c33 | 1,3 W | Do-41g | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 24 V | 33 V | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD240A | 0,2300 | ![]() | 8277 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 30 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 022 | 60 V | 2 A | 300 µA | Pnp | 700mV @ 200mA, 1A | 15 @ 1A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ7064N | 1.3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 30-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 30-BGA (4x3,5) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 14.5A, 10V | 2V à 250µA | 43 NC @ 4,5 V | ± 12V | 3843 PF @ 15 V | - | 2.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6690S | 0,9600 | ![]() | 427 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 1MA | 16 NC @ 5 V | ± 20V | 1233 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5230BTR | 0,0200 | ![]() | 73 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.7 V | 19 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx4013rtf | 0,0500 | ![]() | 3520 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | FJX401 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 812 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 2,2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF70N30TRDTU | 1.1600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC1308PTF | 0,0900 | ![]() | 5622 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 148 | 30 V | 3 A | 500NA | Pnp | 450 MV à 150mA, 1,5a | 80 @ 500mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4370A | 2.2400 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 135 | 1,5 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2,4 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76107D3S | 0,4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 52MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 10.3 NC @ 10 V | ± 20V | 315 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8848NZ | 1.0100 | ![]() | 993 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 22.8A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,1mohm @ 22,8a, 10v | 3V à 250µA | 152 NC @ 10 V | ± 20V | 8075 PF @ 20 V | - | 2.5W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA5N90 | 1.1200 | ![]() | 523 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 900 V | 5.8A (TC) | 10V | 2,3 ohm @ 2,9a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1550 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB52N20TM | - | ![]() | 2904 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 52A (TC) | 10V | 49MOHM @ 26A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2900 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6N25 | 0,2500 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 211 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,2a, 10v | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76439P3 | 0,5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 16V | 2745 PF @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86204 | 0,8700 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP12N10L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-RFP12N10L-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp8099tf | 0,0200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz |
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