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Produits semi-conduurs discrètes (1062)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C30,115 | 0,0200 |  | 157 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZT52H-C30,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ2.7B, 115 | - | | 2481 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Pdz-b | En gros | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PDZ2.7b, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B10,133 | 0,0200 | | 105 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX79-B10,133-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B10,115 | 0,0200 | | 351 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV55-B10,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBHV8115TLH215 | 0,0900 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-PBHV8115TLH215-954 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7C10-75AITE, 118 | 1.4100 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak-7 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK7C10-75AITE, 118-954 | 1 | Canal n | 75 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 121 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 PF @ 25 V | Détection de Courant | 272W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7e3r1-40e, 127 | 0,7500 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK7E3R1-40E, 127-954 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3,1MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 25 V | - | 234W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C12,315 | 0,0300 | | 18 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX884-C12,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 12 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y20-30b, 115 | 1 0000 | | 3955 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 30 V | 39,5a (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 4V @ 1MA | 11.2 NC @ 10 V | ± 20V | 688 PF @ 25 V | - | 59W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2i22d050nr1 | 51.7500 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | À 270wb-15 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS (double) | À 270wb-15 | - | 2156-A2I22D050NR1 | 6 | 2 N-Canal | 10 µA | 520 mA | 5.3W | 31.1 dB à 1,88 GHz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | On5173118 | 0,7300 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-on5173118-954 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C6V2,315 | - | | 5365 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BZX884-C6V2,315-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V2010NR1528 | 30.6600 | | 8128 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 110 V | Support de surface | À 270aa | 10 MHz ~ 450 MHz | LDMOS | À 270-2 | - | 2156-MRF6V2010NR1528 | 3 | Canal n | - | 30 mA | 10W | 23,9 dB à 220 MHz | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF300AN | - | | 4595 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 133 V | Par le trou | À 247-3 | 1,8 MHz ~ 250 MHz | LDMOS | À 247-3 | - | 2156-MRF300AN | 1 | Canal n | 10 µA | 100 mA | 300W | 28.2db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847,235 | 0,0200 | | 50 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BC847,235-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | 199.4800 | | 150 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-1230-4S | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | - | 2156-AFT21H350W03SR6 | 2 | Canal n | 10 µA | 763 Ma | 63W | 16,4 dB à 2,11 GHz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK763R1-40B, 118 | 1.1900 | | 12 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BUK763R1-40B, 118-954 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 3,1MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 6808 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4620PA, 115 | - | | 5876 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | 2,1 W | 3-Huson (2x2) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PBSS4620PA, 115-954 | 1 | 20 V | 6 A | 100NA | NPN | 275 MV @ 300mA, 6A | 260 @ 2A, 2V | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C6V2,115 | 0,0200 | | 41 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZT52H-C6V2,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7E5R2-100E, 127 | 1.1100 | | 473 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK7E5R2-100E, 127-954 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 11810 PF @ 25 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT4403,215 | - | | 5979 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PMBT4403,215-954 | 1 | 40 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB550UN / S500Z | - | | 8839 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 285MW (TA), 4 03W (TC) | Dfn1010b-6 | - | 2156-PMDXB550UN / S500Z | 1 | 2 N-Canal | 30V | 590mA (TA) | 670MOHM @ 590mA, 4,5 V | 0,95 V @ 250µA | 1.05nc @ 4,5 V | 30.3pf @ 15v | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C4V3,113 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV85-C4V3,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 13 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW61B, 215 | 0,0200 | | 17 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BCW61B, 215-954 | 1 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 550 mV à 1,25 mA, 50mA | 180 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV102,115 | 0,0300 | | 52 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | LLDS; Minime | télécharger | Atteindre non affecté | 2156-BAV102,115-954 | 11 357 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (max) | 250mA | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C47,133 | 0,0200 | | 160 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX79-C47,133-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 700 mV | 47 V | 170 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW33,215 | 0,0200 | | 96 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BCW33,215-954 | 1 | 32 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 210mV à 2,5ma, 50mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B2A, 115 | 1 0000 | | 3445 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | PZU24 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C9V1,115 | 0,0300 | | 341 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX585-C9V1,115-954 | 9 947 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C27,215 | - | | 2500 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Bzx84 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BZX84-C27,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 18,9 V | 27 V | 80 ohms |
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