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Produits semi-conduurs discrètes (1062)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NZX16C, 133 | 0,0200 |  | 26 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Alf2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-NZX16C, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS6004D, 115 | 0,0600 | | 63 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | PBLS6004 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PBLS6004D, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Psmn018-100esfq | 0,3700 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-psmn018-100esfq-954 | 1 | Canal n | 100 V | 53A (TA) | 7v, 10v | 18MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 1MA | 21.4 NC @ 10 V | ± 20V | 1482 pf @ 50 V | - | 111W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807-40,235 | - | | 4637 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BC807-40,235-954 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS32L, 115 | 0,0200 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BAS32L, 115-954 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (max) | 200m | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX3008PBKV, 115 | - | | 2027 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | NX3008 | - | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-NX3008PBKV, 115-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V0,215 | 0,0200 | | 177 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX84-C3V0,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4002Aesfyl | 0,0400 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | 0201 (0603 MÉTrique) | Schottky | DSN0603-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PMEG4002AESFYL-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 525 MV @ 200 mA | 1,25 ns | 80 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 200m | 18pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtd123yqaz | 0,0300 | | 24 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | PDTD123 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PDTD123YQAZ-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtc123ymb, 315 | 0,0300 | | 99 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | PDTC123 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-pdtc123ymb, 315-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B3V9,115 | 0,0200 | | 81 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV55-B3V9,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ3.6b, 115 | 0,0200 | | 24 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PDZ3.6b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS4003D, 115 | 0,0700 | | 66 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | PBLS4003 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PBLS4003D, 115-954 | 4 473 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V0,133 | 0,0200 | | 409 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX79-C3V0,133-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C15,115 | 1 0000 | | 1636 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV55-C15,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V | 15 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40-07,215 | 0,0300 | | 178 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | BAS40 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BAS40-07,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMXB65EENZ | 0,0900 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-PMXB65EENZ-954 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP70-02 / AX | 0,2300 | | 66 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | - | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-BAP70-02 / AX-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C9V1,113 | 0,0400 | | 107 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV85-C9V1,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 700 na @ 6,5 V | 9.1 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C18,235 | 0,0200 | | 124 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX84-C18,235-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C6V8,115 | 0,0200 | | 150 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZT52H-C6V8,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 4 V | 6,8 V | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4744A, 133 | 0,0400 | | 25 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-1N4744A, 133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 14 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC55-16pa, 115 | - | | 1284 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | 650 MW | 3-Huson (2x2) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BC55-16pa, 115-954 | 1 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF820,235 | - | | 3735 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BF820,235-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 50 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B27,115 | 0,0200 | | 125 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 18,9 V | 27 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK625R0-40C, 118 | - | | 3532 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK625R0-40C, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 90A (TA) | 5MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 16V | 5200 pf @ 25 V | - | 158W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB20,115 | 0,0400 | | 11 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-1PS70SB20,115-954 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 MV à 500 mA | 100 µA @ 35 V | 125 ° C (max) | 500mA | 90pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM847DS, 115 | 0,0700 | | 6217 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | BCM847 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BCM847DS, 115-954 | 1 750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9608-55A, 118 | 0,7800 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Atteindre non affecté | 2156-BUK9608-55A, 118-954 | 1 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 25a, 10v | 2v @ 1MA | 92 NC @ 5 V | ± 15V | 6021 PF @ 25 V | - | 253W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBF4391 | 0,8700 | | 22 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2832-pmbf4391tr | EAR99 | 8541.21.0080 | 575 | Canal n | 40 V | 14pf @ 20V | 40 V | 50 ma @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30 ohms |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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15 000 m2
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