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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Structure | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F | Couprage de tension Au Courant - FUITE INVERSÉ @ VR | COUPLIER COURANT à la tension - en Avant (VF) (max) @ si |
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![]() | PMXB75UPE / S500Z | - | ![]() | 4745 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010d-3 | - | 2156-PMXB75UPE / S500Z | 1 | Canal p | 20 V | 2.9A (TA) | 1,2 V, 4,5 V | 85MOHM @ 2,9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 8v | 608 PF @ 10 V | - | 317MW (TA), 8,33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB156,135 | - | ![]() | 1505 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | SOD-323 | - | 2156-BB156,135 | 1 | 5.4pf à 7,5 V, 1 MHz | Célibataire | 10 V | 3.9 | C1 / C7.5 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2v09h400-04nr3 | 95.5000 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 105 V | Support de surface | OM-780-4L | 720 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (double) | OM-780-4L | - | 2156-A2V09H400-04NR3 | 4 | 2 N-Canal | 10 µA | 688 mA | 107w | 17,9 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMH13147 | - | ![]() | 2526 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | - | 2156-PQMH13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX600HSR5 | 138,9000 | ![]() | 9931 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 179 V | Support de surface | NI-780S-4L | 1,8 MHz ~ 400 MHz | LDMOS (double) | NI-780S-4L | - | 2156-MRFX600HSR5 | 2 | 2 N-Canal | 10 µA | 100 mA | 600W | 26,4 dB à 230MHz | - | 65 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD780N18KOFHPSA1 | 377.9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 135 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | Connexion de la Série - Tous Les Scr | - | 2156-TD780N18KOFHPSA1 | 1 | 300 mA | 1,8 kV | 1050 A | 2 V | 23500A | 250 mA | 775 A | 2 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010AEJ, 115 | - | ![]() | 3718 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | - | 2156-PMEG2010AEJ, 115 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 1 a | 70 µA @ 20 V | 150 ° C | 1A | 40pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD600N16Koftimhpsa1 | 332.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | Connexion de la Séririe - SCR / Diode | - | 2156-TD600N16Koftimhpsa1 | 1 | 300 mA | 1,6 kV | 1050 A | 2 V | 21000A @ 50hz | 250 mA | 600 A | 1 SCR, 1 Diode | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3i35d012wnr1 | 30.4600 | ![]() | 396 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 65 V | Support de surface | Variante à 270-17, | 3,2 GHz ~ 4 GHz | LDMOS (double) | À 270wb-17 | - | 2156-A3I35D012WNR1 | 10 | 2 N-Canal | 10 µA | 138 MA | 1,8 W | 27,8 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6030ETPX | - | ![]() | 2481 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-128 | Schottky | SOD-128 / CFP5 | - | 2156-PMEG6030ETPX | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 530 MV @ 3 A | 12 ns | 200 µA @ 60 V | 175 ° C | 3A | 360pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C16,133 | - | ![]() | 3155 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX79-C16 | 400 MW | Alf2 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C51,115 | 1 0000 | ![]() | 8366 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX585-C51 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CMB, 315 | - | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | BC847 | 250 MW | DFN1006B-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 200 mV à 500 µA, 10mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ3.9bgw, 115 | 1 0000 | ![]() | 4316 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU20B2A, 115 | - | ![]() | 5308 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B12,215 | - | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002BKW115 | 0,0200 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3002AEAL315 | - | ![]() | 5787 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-882 | PMEG3002 | Schottky | DFN1006-2 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 480 MV @ 200 mA | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 200m | 25pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C43,133 | - | ![]() | 7382 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 30 V | 43 V | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B13,215 | - | ![]() | 5137 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B13 | 300 MW | À 236ab | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2015EA115 | - | ![]() | 9032 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 660 mV @ 1,5 A | 50 µA @ 15 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1.5a | 25pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79-b8v2,113 | 0,0200 | ![]() | 130 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ET, 235 | 0,0200 | ![]() | 380 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56,215 | - | ![]() | 2043 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 215mA (DC) | 1.25 | 500 | 150 ° C (max) | 80 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD48,115 | 1 0000 | ![]() | 5092 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | PEMD48 | 300mw | SOT-666 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50v | 100 mA | 1 µA | 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 10mA / 100mV à 250µa, 5mA | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V | - | 4,7 kohms, 22kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2002AESFB, 315 | - | ![]() | 2666 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN48XP, 125 | 0.1300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal p | 20 V | 4.1a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 55MOHM @ 2,4A, 4,5 V | 1,25 V @ 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1000 pf @ 10 V | - | 530MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B27315 | 0,0300 | ![]() | 479 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A30,215 | - | ![]() | 3818 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 700 mV | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C30,115 | 1 0000 | ![]() | 9642 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | BZV90-C30 | 1,5 w | SOT-223 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms |
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