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Produits semi-conduurs discrètes (1062)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Structure	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)	Rapport de capacité	Condition de rapport de capacité	Q @ VR, F
BLM6G22-30G, 118	-	RFQ	8447	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	SOT-822-1		2,1 GHz ~ 2,2 GHz	LDMOS (double)			16-HSOP	-				2156-BLM6G22-30G, 118	1	-			3A, 9A			280 mA	30W	30 dB																	-																	28 V
Stgwt20v60df	1.5200	RFQ	600	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Standard			167 W		TO-3P-3	-				2156-stgwt20v60df	198						400V, 20A, 15V																							40 ns						Arête du Champ de Tranché	600 V	40 A	80 A	2.2V @ 15V, 20A	200 µJ (ON), 130 µJ (OFF)	116 NC	38ns / 149ns
PUMH9 / ZL165	-	RFQ	1482	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète				Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				200 MW		6-TSSOP	-				2156-PUMH9 / ZL165	1																																				50v	100 mA									100NA			2 npn - pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V	230 MHz	10 kohms	47 kohm
Aft20p060-4nr3	51.9900	RFQ	2	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	OM-780-4L		2,17 GHz	LDMOS (double)			OM-780-4L	-				2156-AFR20P060-4NR3	6	2 N-Canal			-			450 mA	60W	18,9 dB																	-																	28 V
1PS88SB82,115	-	RFQ	9512	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète				Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			Schottky			6-TSSOP	-				2156-1PS88SB82,115	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																									15 V	700 mV @ 30 mA		200 na @ 1 V	-65 ° C ~ 125 ° C
Md7ic2755nr1	114.3900	RFQ	2	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	Variante à 270-14,		2,5 GHz ~ 2,7 GHz	LDMOS (double)			À 270 WB-14	-				2156-MD7IC2755NR1	3	2 N-Canal			10 µA			275 MA	10W	25 dB																	-																	28 V
BB208-02,135	-	RFQ	2082	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523						SOD-523	-				2156-BB208-02,135	1																																	5.4pf à 7,5 V, 1 MHz											Célibataire	10 V											5.2	C1 / C7.5	-
BC848W, 135	-	RFQ	2141	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				200 MW		SOT-323	-				2156-BC848W, 135	1																																				30 V	100 mA									15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
MRFG35003N6AT1	14.4900	RFQ	699	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		8 V		Support de surface	PLD-1.5		500 MHz ~ 5 GHz	Phemt Fet			PLD-1.5	-				2156-MRFG35003N6AT1	21	Canal n			2.9a			180 mA	450mw	10 dB à 3,55 GHz																	-																	6 V
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	SOT-502B		2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS			Sot502b	-				2156-BLF6G22LS-180RN	1	Canal n			5µA			1.4 A	40W	16 dB																	-																	30 V
BB181,135	-	RFQ	7708	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523						SOD-523	-				2156-BB181,135	1																																	1 055pf @ 28v, 1 MHz											Célibataire	30 V											14	C0.5 / C28	-
A3G35H100-04SR3	95.6100	RFQ	137	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif		125 V		Support de surface	NI-780S-4L		3,4 GHz ~ 3,6 GHz	Gan			NI-780S-4L	-				2156-A3G35H100-04SR3	4	2 N-Canal			-			80 mA	14W	14 dB à 3,6 GHz																	-																	48 V
MRFX600GSR5	139.9300	RFQ	100	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif		179 V		Support de surface	NI-780GS-4L		1,8 MHz ~ 400 MHz	LDMOS (double)			NI-780GS-4L	-				2156-MRFX600GSR5	3	2 N-Canal			10 µA			100 mA	600W	26,4 dB à 230MHz																	-																	65 V
BFU520XRR	0 1200	RFQ	51	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-143R				450mw		SOT-143R	-				2156-BFU520XRR	2 515									17,5 dB																											12V	30m												NPN		60 @ 5mA, 8v	10 GHz			0,65 dB à 900 MHz
PMEG150G20ELPX	-	RFQ	3493	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif				Support de surface	SOD-128			Standard			SOD-128 / CFP5	-				2156-PMEG150G20ELPX	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									150 V	850 MV @ 2 A	14 ns	30 na @ 150 V	175 ° C	2A	70pf @ 1v, 1MHz
PMEG4005esfyl	-	RFQ	2590	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif				Support de surface	0201 (0603 MÉTrique)			Schottky			DSN0603-2	-				2156-PMEG4005esfyl	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									40 V	880 MV @ 500 mA	1,28 ns	6,5 µA @ 40 V	150 ° C	500mA	17pf @ 1v, 1mhz
PMXB40UN / S500Z	-	RFQ	2461	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-XDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			Dfn1010d-3	-				2156-PMXB40UN / S500Z	1			Canal n							12 V	3.2a (TA)	1,2 V, 4,5 V	45 Mohm @ 3,2a, 4,5 V	900 mV à 250 µA	11,6 NC @ 4,5 V	± 8v	556 pf @ 10 V	-	400MW (TA), 8 33W (TC)
PMDXB600UNEL / S500Z	-	RFQ	6059	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif												-				2156-PMDXB600UNEL / S500Z	1
PQMD13147	-	RFQ	5836	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif												-				2156-PQMD13147	1
TD570N18KOFHPSA1	313.8000	RFQ	2	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					Connexion de la Série - Tous Les Scr		-				2156-TD570N18KOFHPSA1	2					300 mA															1,8 kV	1050 A	2 V	20000a	250 mA	566 A									2 SCR
BLP05M7200Y	-	RFQ	9352	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif												-				2156-BLP05M7200Y	1
PBS5220PAPSX	-	RFQ	9176	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN				370mw		DFN2020D-6	-				2156-PBSS5220PAPSX	1																																				20V	2A									100NA (ICBO)			2 PNP	390mV @ 200mA, 2A	160 @ 1A, 2V	95 MHz
PMXB43UN / S500Z	-	RFQ	3938	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-XDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			Dfn1010d-3	-				2156-PMXB43UN / S500Z	1			Canal n							20 V	3.2a (TA)	1,5 V, 4,5 V	54MOHM @ 3,2A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	551 PF @ 10 V	-	400MW (TA), 8 33W (TC)
MMBD4148,215	-	RFQ	6158	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			Standard			À 236ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-MMBD4148,215-954	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									75 V	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 75 V	150 ° C (max)	215mA	1,5pf @ 0v, 1MHz
Bzx79-b7v5,143	-	RFQ	2731	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW		Alf2	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-BZX79-B7V5,143-954	1																												900 mV @ 10 mA		1 µA @ 5 V																	7,5 V	15 ohms
PMBD6050,215	0,0200	RFQ	399	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			Standard			À 236ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-PMBD6050,215-954	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									70 V	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	150 ° C (max)	215mA	1,5pf @ 0v, 1MHz
BZX79-C3V3,143	0,0200	RFQ	290	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW		Alf2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-BZX79-C3V3,143-954	1																												900 mV @ 10 mA		5 µA @ 1 V																	3,3 V	95 ohms
Bzx79-b11143	-	RFQ	4192	Semi-conduurs nxp	Bzx79	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW		Alf2	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-BZX79-B11143-954	1																												900 mV @ 10 mA		100 na @ 8 V																	11 V	20 ohms
BZV55-C3V3,115	-	RFQ	4298	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 MW		LLDS; Minime	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-BZV55-C3V3,115-954	1																												900 mV @ 10 mA		5 µA @ 1 V																	3,3 V	95 ohms
Ph2525L, 115	0 2400	RFQ	4	Semi-conduurs nxp	TRENCHMOS ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669			MOSFET (Oxyde Métallique)			LFPAK56, Power-SO8	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-ph2525L, 115-954	1 268			Canal n							25 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	2,5 mohm @ 25a, 10v	2.15v @ 1mA	34,7 NC @ 4,5 V	± 20V	4470 PF @ 12 V	-	62,5W (TC)