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Produits semi-conduurs discrètes (1062)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
PMPB15XN, 115	-	RFQ	7468	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-XFDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		Dfn1010b-6	-						0000.00.0000	1			Canal n						20 V	7.3a (TA)	1,8 V, 4,5 V	21MOHM @ 7.3A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	20.2 NC @ 4,5 V	± 12V	1240 PF @ 10 V	-	1.7W (TA), 12,5W (TC)
Pmgd175xnex	-	RFQ	5004	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PMGD175			MOSFET (Oxyde Métallique)	260MW (TA)	SOT-363	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1	2 Canaux N (double)								30V	870mA (TA)		252MOHM @ 900mA, 4,5 V	1,25 V @ 250µA	1.65nc @ 4,5 V		81pf @ 15v	-
1N4733A, 113	0,0300	RFQ	214	Semi-conduurs nxp	*	En gros	Actif												télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-1N4733A, 113-954	EAR99	8541.10.0070	1
BZX84J-C4V3,115	-	RFQ	1319	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F	Bzx84j-c4v3				550 MW	SOD-323F	télécharger						0000.00.0000	1																					1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V												4.3 V	90 ohms
2pc4617rmb, 315	-	RFQ	7989	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn	2pc4617				250 MW	DFN1006B-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																										50 V	100 mA							100NA (ICBO)			NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	180 @ 1MA, 6V	100 MHz
PMV33UPE, 215	-	RFQ	7551	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1			Canal p						20 V	4.4a (TA)	1,8 V, 4,5 V	36MOHM @ 3A, 4,5 V	950 mV à 250µA	22.1 NC @ 4,5 V	± 8v	1820 pf @ 10 V	-	490mw (TA)
BZV85-C36,133	-	RFQ	3634	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	BZV85-C36				1,3 W	DO-41	télécharger						0000.00.0000	1																					1 V @ 50 Ma		50 na @ 25 V												36 V	50 ohms
BZB784-C11115	-	RFQ	3443	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	± 5%		-	Support de surface	SC-70, SOT-323					180 MW	SOT-323	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1	1 paire Commune d'anode																				900 mV @ 10 mA		100 na @ 8 V												11 V	20 ohms
PZU6.2BL, 315	-	RFQ	3706	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 5%		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882	Pzu6.2				250 MW	DFN1006-2	télécharger						0000.00.0000	1																					1,1 V @ 100 mA		500 na @ 3 V												6.2 V	30 ohms
BZB84-B33,215	-	RFQ	7720	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B33				300 MW	À 236ab	télécharger						0000.00.0000	1	1 paire Commune d'anode																				900 mV @ 10 mA		50 na @ 23,1 V												33 V	80 ohms
PMV40UN2R	-	RFQ	2975	Semi-conduurs nxp	*	En gros	Actif												télécharger					EAR99	8541.29.0095	1
BC847bm, 315	0,0200	RFQ	8085	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-101, SOT-883					250 MW	DFN1006-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	447																										45 V	100 mA							15NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
BZB84-B3V3,215	-	RFQ	8942	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B3V3				300 MW	À 236ab	télécharger						0000.00.0000	1	1 paire Commune d'anode																				900 mV @ 10 mA		5 µA @ 1 V												3,3 V	95 ohms
BZX585-C5V1,115	-	RFQ	7528	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523					300 MW	SOD-523	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	1																					1,1 V @ 100 mA		2 µA @ 2 V												5.1 V	60 ohms
BZX84J-B68,115	1 0000	RFQ	9101	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F	BZX84J-B68				550 MW	SOD-323F	télécharger						0000.00.0000	1																					1,1 V @ 100 mA		50 na @ 47,6 V												68 V	160 ohms
BZX84-B51,215	-	RFQ	4054	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					250 MW	SOT-23	télécharger						0000.00.0000	1																					900 mV @ 10 mA		50 na @ 35.7 V												51 V	180 ohms
BZX585-B75,115	-	RFQ	1700	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523	BZX585-B75				300 MW	SOD-523	télécharger						0000.00.0000	1																					1,1 V @ 100 mA		50 na @ 52,5 V												75 V	255 ohms
BUK7506-55A, 127	-	RFQ	1400	Semi-conduurs nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			Canal n						55 V	75A (TC)	10V	6,3MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA		± 20V	6000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Nx7002bks115	-	RFQ	7235	Semi-conduurs nxp	*	En gros	Actif												télécharger					EAR99	8541.21.0095	1
PMPB43XPE, 115	1 0000	RFQ	6272	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN	PMPB43			MOSFET (Oxyde Métallique)		DFN2020MD-6	télécharger						0000.00.0000	1			Canal p						20 V	5A (TA)	1,8 V, 4,5 V	48MOHM @ 5A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	23,4 NC @ 4,5 V	± 12V	1550 pf @ 10 V	-	1.7W (TA), 12,5W (TC)
BZV55-B5V1,135	-	RFQ	7200	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80					500 MW	LLDS; Minime	télécharger						0000.00.0000	1																					900 mV @ 10 mA		2 µA @ 2 V												5.1 V	60 ohms
Nzx7v5d, 133	-	RFQ	5910	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif	± 2%		-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Nzx7v5				500 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 200 mA		1 µA @ 5 V												7,5 V	15 ohms
BLF8G27LS-100PJ	-	RFQ	4497	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	SOT-1121B			2,5 GHz ~ 2,7 GHz	LDMOS (Double), Source Commune		Le Plus Grand	-				2156-BLF8G27LS-100PJ			1	2 N-Canal			-		860 mA	25W	18 dB											-														28 V
AFT21S140W02SR3	150.2600	RFQ	500	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	Ni-780			2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		Ni-780	-				2156-AFT21S140W02SR3			2	Canal n			-		800 mA	32W	19,3 dB à 2,14 GHz											-														28 V
BLM6G22-30G, 118	-	RFQ	8447	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	SOT-822-1			2,1 GHz ~ 2,2 GHz	LDMOS (double)		16-HSOP	-				2156-BLM6G22-30G, 118			1	-			3A, 9A		280 mA	30W	30 dB											-														28 V
Stgwt20v60df	1.5200	RFQ	600	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		Standard			167 W	TO-3P-3	-				2156-stgwt20v60df			198					400V, 20A, 15V																	40 ns			Arête du Champ de Tranché	600 V	40 A	80 A	2.2V @ 15V, 20A	200 µJ (ON), 130 µJ (OFF)	116 NC	38ns / 149ns
PUMH9 / ZL165	-	RFQ	1482	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète				Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363					200 MW	6-TSSOP	-				2156-PUMH9 / ZL165			1																										50v	100 mA							100NA			2 npn - pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V	230 MHz	10 kohms	47 kohm
Aft20p060-4nr3	51.9900	RFQ	2	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	OM-780-4L			2,17 GHz	LDMOS (double)		OM-780-4L	-				2156-AFR20P060-4NR3			6	2 N-Canal			-		450 mA	60W	18,9 dB											-														28 V
1PS88SB82,115	-	RFQ	9512	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète				Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				Schottky		6-TSSOP	-				2156-1PS88SB82,115			1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																		15 V	700 mV @ 30 mA		200 na @ 1 V	-65 ° C ~ 125 ° C
Md7ic2755nr1	114.3900	RFQ	2	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Obsolète		65 V		Support de surface	Variante à 270-14,			2,5 GHz ~ 2,7 GHz	LDMOS (double)		À 270 WB-14	-				2156-MD7IC2755NR1			3	2 N-Canal			10 µA		275 MA	10W	25 dB											-														28 V