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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)
BZX84-C2V7 / DG / B2215	1 0000	RFQ	7362	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0050	3 000
PEMF21,115	-	RFQ	7225	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pemf2					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	4 000
PEMT1,315	1 0000	RFQ	8345	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	Pemt1			300mw	SOT-666	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																									40V	100 mA		100NA (ICBO)			2 pnp (double)	200 mV @ 5mA, 50mA	120 @ 1MA, 6V	100 MHz
PUmb2,115	-	RFQ	1278	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pumb2					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
MRF7S18125AHSR5	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF7	1,88 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	50				-	1.1 A	125W	17 dB											-									28 V
PMEG2010EA115	-	RFQ	6667	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	SC-76, SOD-323			Schottky		SOD-323	télécharger					0000.00.0000	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	20 V	550 mV @ 1 a	50 µA @ 15 V	125 ° C (max)	1A	25pf @ 5v, 1MHz
PHM15NQ20T, 518	-	RFQ	4755	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	Phm15		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-HVSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n					200 V	17.5A (TC)	10V	85MOHM @ 15A, 10V	4V @ 1MA	40 NC @ 10 V	± 20V	2170 PF @ 30 V	-	62,5W (TC)
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger				EAR99	8541.29.0075	1
PDTA123YT, 215	0,0200	RFQ	162	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PDTA12					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
BAT54SW, 115	-	RFQ	7472	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bat54					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000
BUK753R1-40B, 127	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Buk75		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					40 V	75A (TC)	10V	3,1MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	94 NC @ 10 V	± 20V	6808 PF @ 25 V	-	300W (TC)
BUK6C2R1-55C, 118-NX	-	RFQ	1965	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1			Canal n					55 V	228A (TC)	10V	2,3MOHM @ 90A, 10V	2,8 V @ 1MA	253 NC @ 10 V	± 16V	16000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PDTC114TE, 115	-	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTC114			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000																									50 V	100 mA		100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	200 @ 1MA, 5V		10 kohms
MRF19085LR5	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF19	1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.31.0001	50				-	850 mA	18W	13db											-									26 V
PBHV8515QA147	0,1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0095	5 000
BUK9635-100A, 118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk96		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					100 V	41A (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	3573 PF @ 25 V	-	149W (TC)
BUK9510-100B, 127	0 7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Buk95					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
PBSM5240PF, 115	-	RFQ	4526	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PBSM5					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000
Php191nq06lt, 127	1.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Php19					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
PSMN013-100ES, 127	0,6300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1 000
PSMN7R6-60BS118	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger				EAR99	8541.29.0095	1
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	5178	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger				EAR99	8541.29.0095	1
BUK9607-30B, 118	0,4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Buk96					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
BUJD203A, 127	0,3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				80 W	À 220ab	télécharger				EAR99	8541.29.0095	875																									425 V	4 A		100 µA			NPN	1V @ 600mA, 3A	11 @ 2A, 5V	-
PBS4260QA147	-	RFQ	5606	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	5 000
Nx602nbks115	-	RFQ	5279	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	1
BZX585-B13,135	0,0300	RFQ	7861	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523				300 MW	SOD-523	télécharger				EAR99	8541.10.0050	4 480																				1,1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V								13 V	10 ohms
PZU27B / L135	-	RFQ	9902	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0050	1
BFU520235	-	RFQ	4196	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	10 000
PMDPB70EN, 115	0.1900	RFQ	39	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UFDFN	PMDPB70		MOSFET (Oxyde Métallique)	510mw	6-Huson (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)							30V	3.5a		57MOHM @ 3,5A, 10V	2,5 V @ 250µA	4.5nc @ 10v		130pf @ 15v	Porte de Niveau Logique