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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCV47,215 | - |  | 2332 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCV47 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0 1700 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 745 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0,0200 | | 195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4746A, 113 | 0,0400 | | 214 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-150,127 | - | | 4003 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 | BYV32 | Standard | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA à 150 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25W, 115 | 0,0200 | | 4296 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC817 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU6.8B2,115 | - | | 9523 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU6.8 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C7V5,115 | 0,0200 | | 5480 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN028-100YS, 115 | - | | 5277 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN1R2-30YLC, 115 | - | | 4700 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT136S-600,118 | - | | 2290 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Dpak | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 795 | Célibataire | 15 mA | Standard | 600 V | 4 A | 1,5 V | 25a, 27a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1 0000 | | 4054 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS19,215 | 0,0900 | | 66 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BFS19 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB45,115 | 0,0300 | | 366 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJD203AX, 127 | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bujd2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB984-C4V3,115 | 0,0400 | | 36 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB984 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C8V2115 | - | | 8086 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,135 | 0,0300 | | 2042 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B2V7,215 | 0,0200 | | 128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC69pasx | 0,0700 | | 100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 600mV @ 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9615-100E, 118 | - | | 6859 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 66a (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 15A, 10V | 2.1V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ± 10V | 6813 PF @ 25 V | - | 182W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16W, 135 | 0,0200 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtc124emb | - | | 2024 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA410Y-600CT, 127 | 1 0000 | | 1033 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | Onglet isolé à 220-3 | À 220ab | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Célibataire | 35 mA | Standard | 600 V | 10 a | 1,5 V | 100A, 110A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3946YPN, 125 | - | | 8939 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3946 | 350mw | SOT-363 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200m | 50NA (ICBO) | Npn, pnp | 300 mV à 5MA, 50mA / 400mV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz, 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40H, 115 | 0,0300 | | 2342 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAS40 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B13,133 | 0,0200 | | 82 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501V, 115 | 1 0000 | | 1066 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMP4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 |
2000+
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Unité de produit standard
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