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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX585-C39,115 | - |  | 4391 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 27,3 V | 39 V | 130 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYQ28E-200,127 | 0 2400 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BYQ28 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54AW, 115 | 0,0200 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bat54 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B51,115 | - | | 2890 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33 / DG / B3215 | 0,0700 | | 8047 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002TV, 115 | - | | 6226 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | PMEG6002 | Schottky | SOT-666 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 2 indépendant | 60 V | 200mA (DC) | 600 mV @ 200 mA | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX33A, 133 | 0,0200 | | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMB1,115 | 0,0400 | | 62 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | PEMB1 | 300mw | SOT-666 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 PNP - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | - | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807-40,235 | - | | 2638 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-B2V7,115 | 0,0200 | | 5773 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C36,115 | - | | 6221 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA212-800B, 127 | 0 4500 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 481 | Célibataire | 60 mA | Standard | 800 V | 12 A | 1,5 V | 95a, 105a | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0,0200 | | 150 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B5V1,135 | 1 0000 | | 4600 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B30,115 | - | | 7758 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B16,215 | 0,0200 | | 78 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0,0200 | | 54 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA204W-600E, 135 | 0,2300 | | 65 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 312 | Célibataire | 12 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 1 a | 1,5 V | 10A, 11A | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Psmn021-100ylx | 1 0000 | | 2749 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 49a (TC) | 5v, 10v | 21,5MOHM @ 15A, 10V | 2.1V @ 1MA | 65,6 NC @ 10 V | ± 20V | 4640 pf @ 25 V | - | 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU8.2B1,115 | - | | 9675 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu8.2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C56133 | 1 0000 | | 9093 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pd601arl, 215 | 0,0200 | | 741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pd60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V7,115 | - | | 9353 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C20,215 | 0,0200 | | 29 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C51115 | - | | 7283 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX24B, 133 | 0,0200 | | 27 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B22,115 | - | | 1708 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 15,4 V | 22 V | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBD354,215 | 0,0800 | | 37 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBD3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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