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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C5V1,143 | 0,0200 |  | 131 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V9,315 | - | | 7950 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS70-04235 | - | | 6813 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B10,143 | 0,0200 | | 175 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C10,235 | - | | 2160 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS28,235 | 0,0400 | | 746 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BAS28 | Standard | SOT-143B | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,713 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 75 V | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX27X, 133 | 0,0200 | | 119 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C5V1135 | - | | 7568 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nzx5v6a, 133 | 0,0200 | | 1369 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx5 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC69-16PASX | 0,0700 | | 63 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 600mV @ 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C9V1,315 | 0,0300 | | 49 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK969R0-60E, 118 | - | | 8852 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 5V | 8MOHM @ 20A, 10V | 2.1V @ 1MA | 29.8 NC @ 5 V | ± 10V | 4350 pf @ 25 V | - | 137W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PMST6428,135 | 0,0200 | | 688 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 250 @ 100µA, 5V | 700 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A6V8,215 | 1 0000 | | 9016 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B5V6,135 | 0,0200 | | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nzx4v7d, 133 | 0,0200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nzx6v8c, 133 | 0,0200 | | 48 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx6 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114YU, 115 | 0,0200 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PDTC114 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 17 125 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 5mA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C43,215 | 0,0200 | | 720 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 30,1 V | 43 V | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B47115 | 1 0000 | | 6712 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B24215 | - | | 9818 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC849CW, 115 | 0,0200 | | 15 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B3V6,215 | - | | 4151 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C4V3,115 | 0,0200 | | 88 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B2V4,115 | - | | 5378 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nzx9v1a, 133 | 0,0200 | | 135 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx9 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG6020EPA115 | - | | 5188 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 3-Powerudfn | PMEG6020 | Schottky | 3-Huson (2x2) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 575 MV @ 2 A | 78 ns | 250 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 2A | 250pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU13B3A, 115 | 0,0300 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 010 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18B2A, 115 | 0,0300 | | 33 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU18 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB16,115 | - | | 6307 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PEMB1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 |
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