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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BZX585-B4V3,115	-	RFQ	3051	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523			300 MW	SOD-523	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																						1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V							4.3 V	90 ohms
BZX585-C15135	-	RFQ	6479	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523			300 MW	SOD-523	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	1																						1,1 V @ 100 mA		50 na @ 10,5 V							15 V	15 ohms
PBRP123ET, 215	-	RFQ	3083	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pbrp12				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000
BTA2008-800E, 412	0,1600	RFQ	9	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				To-92-3	télécharger				EAR99	8541.30.0080	1 847	Célibataire			12 mA											Logique - Porte sensible	800 V	800 mA	2 V	9A, 10A	10 mA
BB208-03	1 0000	RFQ	7378	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger					0000.00.0000	1
BUK969R3-100E, 118	1.1100	RFQ	8475	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1			Canal n		100 V	100A (TC)	5v, 10v	8,9MOHM @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	94.3 NC @ 5 V	± 10V	11650 pf @ 25 V	-	263W (TC)
BZX384-C2V7,115	0,0200	RFQ	5558	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BZX384				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
PMBS3906,215	-	RFQ	2870	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMBS3				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
PZU30BA115	-	RFQ	3019	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger				EAR99	8541.10.0050	1
PZU3.6B2,115	-	RFQ	9289	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pzu3.6				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
PMBT2907A, 215	-	RFQ	2881	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMBT2907				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
PMEG3005EB115	-	RFQ	9127	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-79, SOD-523	PMEG3005	Schottky		SOD-523	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																			30 V	500 mV à 500 mA		500 µA @ 30 V	150 ° C (max)	500mA	30pf @ 1v, 1MHz
NZX36X, 133	0,0200	RFQ	48	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzx3				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
PhB18NQ10T, 118	0 4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	727			Canal n		100 V	18A (TC)	10V	90MOHM @ 9A, 10V	4V @ 1MA	21 NC @ 10 V	± 20V	633 PF @ 25 V	-	79W (TC)
NZX24B, 133	0,0200	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzx2				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
BZV55-B22,115	-	RFQ	1708	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 MW	LLDS; Minime	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																						900 mV @ 10 mA		50 na @ 15,4 V							22 V	55 ohms
NZX24X, 133	0,0200	RFQ	105	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzx2				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
PSMN030-150P, 127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn0				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
PSMN057-200B, 118	-	RFQ	3831	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn0				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
PSMN1R5-30YL, 115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn1				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 500
Pdz2.7b	1 0000	RFQ	4342	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger				EAR99	8541.10.0050	1
BAT854W, 115	0,0300	RFQ	4422	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Bat85				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000
BAT86,133	0,0800	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AG, DO-34, axial		Schottky		Do-34	télécharger				EAR99	8541.10.0070	3 985		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																			50 V	900 mV à 100 mA	4 ns	5 µA @ 40 V	125 ° C (max)	200m	8pf @ 1v, 1mhz
BZX84-B56,215	0,0200	RFQ	60	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																						900 mV @ 10 mA		50 na @ 39,2 V							56 V	200 ohms
BC847cqaz	0,0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-XDFN			280 MW	Dfn1010d-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	9 947																												45 V	100 mA	15NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
Buk9y12-55b, 115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			Canal n		55 V	61.8a (TC)	5v, 10v	11MOHM @ 20A, 10V	2.15v @ 1mA	32 NC @ 5 V	± 15V	2880 pf @ 25 V	-	106W (TC)
BSR16,215	-	RFQ	8277	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BSR1				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
BZX585-C36115	-	RFQ	3147	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger				EAR99	8541.10.0050	1
2pd602as	-	RFQ	2002	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger					0000.00.0000	1
BZX884-C47,315	0,0300	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BZX884				télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000