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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PhD13005,127 | 0.1900 |  | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PhD13 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5089,115 | 0,0200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMST5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15B1A, 115 | 0,0300 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 11 V | 15 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS305NZ, 135 | - | | 4669 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3906,235 | 0,0200 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R5-80PS | - | | 4544 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK765R3-40E, 118 | - | | 3258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 4,9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 35,5 NC @ 10 V | ± 20V | 2772 PF @ 25 V | - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C56133 | 1 0000 | | 9093 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pd601arl, 215 | 0,0200 | | 741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pd60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B43,215 | 0,0200 | | 29 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 30,1 V | 43 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B4V3,215 | - | | 7220 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C47,115 | - | | 7188 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B10,113 | - | | 6791 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | 0,5400 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BYV32 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu5.6b3a115 | - | | 7245 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B30,133 | 0,0200 | | 48 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B75,215 | 0,0300 | | 77 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 823 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 255 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ403A / DG, 127 | 0,3800 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 100 W | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 A | 100 µA | NPN | 1V @ 400mA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB86,115 | 0,1000 | | 234 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM856DS, 115 | 0,0700 | | 9281 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCM85 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA204-600E, 127 | 0,2700 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 1110 | Célibataire | 12 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 4 A | 1,5 V | 25a, 27a | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB784-C10,115 | 0,0300 | | 2051 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 453 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B62,115 | 0,0200 | | 27 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B47,113 | 0,0200 | | 50 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 32,9 V | 47 V | 170 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56-16115 | 1 0000 | | 7300 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C13,115 | - | | 7686 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW, 115 | - | | 1435 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC84 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C22,215 | - | | 3508 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 15,4 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 V | Soutenir de châssis | SOT-1228A | 3 GHz | Gan Hemt | Le Plus Grand | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 mA | 100W | 14 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C3V9215 | 0,0200 | | 39 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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