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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BFU550A235	-	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	10 000
BLS7G2933S-150,112	515.3300	RFQ	32	NXP USA Inc.	-	Tube	Actif		60 V		Soutenir de châssis	SOT-922-1		2,9 GHz ~ 3,3 GHz	LDMOS		Cdfm2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	1				4,2 µA	100 mA	150W	13,5 dB											-										32 V
BZX585-C9V1135	0,0300	RFQ	7056	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523				300 MW	SOD-523	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0050	6 170																				1,1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V								9.1 V	10 ohms
Phk31nq03lt, 518	-	RFQ	9829	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Phk31					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500
PSMN035-150P, 127	-	RFQ	8619	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
BYC10-600P127	-	RFQ	1710	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2			Standard		À 220AC	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	600 V	1,3 V @ 10 A	12 ns	10 µA @ 600 V	175 ° C (max)	10A	-
PZU5.6BL315	-	RFQ	3584	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882				250 MW	DFN1006-2	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1																				1,1 V @ 100 mA		1 µA @ 2,5 V								5.6 V	40 ohms
BYC20X-600P127	0 7600	RFQ	35	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1
Buk6209-30c	-	RFQ	3906	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Buk6209		-			télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1																-
PH3120L, 115-NXP	-	RFQ	3809	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669			MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1 500			Canal n					20 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	2 65 mohm @ 25a, 10v	2v @ 1MA	48,5 NC @ 4,5 V	± 20V	4457 PF @ 10 V	-	62,5W (TC)
Aft26hw050gsr3-nxp	115.4500	RFQ	250	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0040	1
PBLS1503V, 115-NXP	0,0700	RFQ	12	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	SOT-563, SOT-666	PBLS1503			300mw	SOT-666	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	4 000																										50v, 15v	100mA, 500mA		1µA, 100NA			1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP	150 mV à 500 µA, 10mA / 250mV à 50ma, 500mA	30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V	280 MHz	10 kohms	10 kohms
Php45nq11t, 127	0,4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Php45					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
BZX884-B15315	-	RFQ	5201	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882				250 MW	DFN1006-2	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1																				900 mV @ 10 mA		50 na @ 10,5 V								15 V	15 ohms
BUK9514-55A, 127	0,4000	RFQ	7	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1			Canal n					55 V	73A (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	3307 pf @ 25 V	-	149W (TC)
BB178 / L315	0,0900	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	8 000
Buk6e2r3-40c, 127	-	RFQ	7460	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Buk6					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
TYN16-600RT127	0,3100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Tyn16					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.30.0080	1
PMEG10020ELR115	1 0000	RFQ	7755	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMEG10020					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1
BUK7E13-60E, 127	0,3300	RFQ	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tube	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1			Canal n					60 V	58A (TA)		13MOHM @ 15A, 10V	4V @ 1MA	22,9 NC @ 10 V	± 20V	1730 pf @ 25 V	-	96W (TA)
PMV65UN, 215	-	RFQ	1184	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMV65		-			télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0095	1																-
PDTD113ZU115	0,0400	RFQ	1867	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	5 340
PSMN070-200B, 118	-	RFQ	3268	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
PSMN1R6-30PL, 127	1.1600	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Psmn1					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
BTA312X-800C / L01127	0,5100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.30.0080	1
MRFE6VP5150GNR1,528	35.4100	RFQ	475	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		133 V		Support de surface	À 270bb		1,8 MHz ~ 600 MHz	LDMOS		À 270 WB-4 Gull	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1	Double			5µA	100 mA	150W	26.1 dB											-										50 V
BUK7508-55A, 127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tube	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1			Canal n					55 V	75A (TA)		8MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	76 NC @ 0 V	± 20V	4352 PF @ 25 V	-	254W (TA)
Pdtd143xt215	0,0300	RFQ	3377	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	8 030
MRF6V2300NR5578	-	RFQ	2038	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						MRF6V2300		-			télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1																-
A2T07D160W04SR3128	78.2500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	250