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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Tension - test | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PBS4032SP, 115 | - |  | 7442 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU13B1A115 | - | | 3061 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | BUK7535-55A, 127 | 0,2600 | | 9 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 55 V | 35A (TC) | 10V | 35MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 872 PF @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||
 | BZV90-C3V0115 | 1 0000 | | 3262 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 000 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | BUK9509-40B, 127 | 0.4400 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Buk95 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB370UN, 315 | - | | 3565 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN1006B-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 10 000 | Canal n | 30 V | 900mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 490MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 1.16 NC @ 15 V | ± 8v | 78 PF @ 25 V | - | 360MW (TA), 2,7W (TC) | |||||||||||||||
 | BLA6G1011L-200RG112 | 592.9400 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 | | 92 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN4R3-100ES, 127 | - | | 2460 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 PF @ 50 V | - | 338W (TC) | |||||||||||||||
| BTA420Y-800BT127 | - | | 4668 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA330-800BT127 | 0,8000 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Ph2625L, 115 | 0,3000 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Ph26 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Phk12nq03lt, 518 | - | | 3662 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Phk12 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK754R0-55B, 127 | 0 7700 | | 959 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 6776 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
 | BUK7230-55A | - | | 5164 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk7230 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| BLF184XR112 | 564.5800 | | 80 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Blf574xrs112 | 192.3000 | | 47 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80ES, 127 | 1.1900 | | 540 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Psmn4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7108-40AIE, 118 | 0,8100 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-5, d²pak (4 leads + onglet), à 263bb | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-426 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3140 PF @ 25 V | Détection de Courant | 221W (TC) | |||||||||||||||
 | PMN70XPE, 115 | 0,0600 | | 50 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 85MOHM @ 2A, 4,5 V | 1,25 V @ 250µA | 7,8 NC @ 4,5 V | ± 12V | 602 pf @ 10 V | - | 500MW (TA), 6,25W (TC) | |||||||||||||||
 | PhD97NQ03LT, 118 | 0,3100 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PhD97 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV415W-600P127 | - | | 8954 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu3.6ba115 | 1 0000 | | 3584 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | BC846B215 | - | | 5678 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7C10-75AITE, 118 | - | | 6965 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk7 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6215-75C, 118 | - | | 4160 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 75 V | 57A (TA) | 15MOHM @ 15A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 61,8 NC @ 10 V | ± 16V | 3900 pf @ 25 V | - | 128W (TA) | ||||||||||||||||
| BLF8G10LS-160V, 112 | 66.3900 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | 65 V | Monture de mariée | SOT-502B | BLF8 | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS | Sot502b | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 A | 35W | 19,7 dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||
 | BC856BM315 | 1 0000 | | 3844 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC856 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN3R5-80ES, 127 | 1 4000 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Psmn3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HSR3,128 | - | | 6770 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | MRF8S21100 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - |
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