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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD19538Q2 | 0,5600 | ![]() | 3329 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 14.4A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 20.2W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD18540Q5B | 2.6700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 28A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | Uln2803adwrg4 | - | ![]() | 4620 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
Tps1101pwr | 0,9823 | ![]() | 9062 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TPS1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 16-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal p | 15 V | 2.18A (TA) | 2,7 V, 10V | 90MOHM @ 2,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 11.25 NC @ 10 V | + 2v, -15v | - | 710mw (TA) | ||||||||||||
![]() | CSD19538Q2T | 1.1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 13.1a (TC) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 20.2W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD22204W | 0,6500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 2A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 24,6 NC @ 4,5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17305Q5A | 0,6663 | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17305 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 29A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 3,4MOHM @ 30A, 8V | 1,6 V @ 250µA | 18,3 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD18533Q5A | 1.5100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 18A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD87312Q3E | 1.6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD87312Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) couronne source | 30V | 27A | 33MOHM @ 7A, 8V | 1,3 V à 250µA | 8.2nc @ 4,5 V | 1250pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
![]() | CSD18502Q5B | 2.6200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 30A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD25213W10 | 0 4700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD25213 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 47MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 2,9 NC @ 4,5 V | -6v | 478 PF @ 10 V | - | 1W (ta) | ||||||||||
![]() | CSD13201W10 | 0,5000 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD13201 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 1.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 34MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 2,9 NC @ 4,5 V | ± 8v | 462 pf @ 6 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD88539nd | 0,9100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88539 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 28MOHM @ 5A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 9.4nc @ 10v | 741pf @ 30v | - | ||||||||||||
![]() | CSD18537NQ5AT | 1.1000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 6v, 10v | 13MOHM @ 12A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 75W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD87384MT | 2.1400 | ![]() | 822 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8W | 5-Ptab (5x3,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 30A | 7,7MOHM @ 25A, 8V | 1,9 V à 250µA | 9.2nc @ 4,5 V | 1150pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
![]() | CSD88537NDT | 1.6600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 15MOHM @ 8A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 18nc @ 10v | 1400pf @ 30v | - | ||||||||||||
![]() | CSD19534Q5AT | 1.2600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 44a (TC) | 6v, 10v | 15.1MOHM @ 10A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD25304W1015 | 0,5000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD25304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 32,5 mohm @ 1,5a, 4,5 V | 1,15 V @ 250µA | 4.4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 595 PF @ 10 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||
![]() | CSD16570Q5B | 2.2200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16570 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 0,59MOHM @ 50A, 10V | 1,9 V à 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD17579Q3A | 0,6000 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17579 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 20A (TA) | 4,5 V, 10V | 10.2MOHM @ 8A, 10V | 1,9 V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 998 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA), 29W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD17577Q3A | 0,6500 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 16A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 53W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD16325Q5 | 2.0700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16325 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 33A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2MOHM @ 30A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 25 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 4000 PF @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17551Q5A | 1 0000 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17551 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 48A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,8MOHM @ 11A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 7,2 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1272 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17553Q5A | 1.5300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17553 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 23.5A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,1MOHM @ 20A, 10V | 1,9 V à 250µA | 21,5 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3252 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD13306W | 0,5400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD13306 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 3.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 11.2 NC @ 4,5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD85301Q2T | 1.1300 | ![]() | 6130 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD85301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5A | 27MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 5.4nc @ 4,5 V | 469pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||
![]() | CSD18509Q5B | 2.4900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,2MOHM @ 32A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 13900 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD18531Q5AT | 2.0600 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,6MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 30 V | - | 3.1W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
CSD18536KCS | 4.7600 | ![]() | 478 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 200A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 100a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 11430 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD13306WT | 1.0900 | ![]() | 930 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD13306 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 3.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 11.2 NC @ 4,5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) |
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