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Produits semi-conduurs discrètes (471)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
CSD19503KCS	1.7300	RFQ	1377	Texas Instruments	NEXFET ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		CSD19503	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n				80 V	100A (TA)	6v, 10v	9.2MOHM @ 60A, 10V	3,4 V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	2730 PF @ 40 V	-	188W (TC)
CSD87353Q5D	2.8800	RFQ	20	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerLDFN		CSD87353Q5	MOSFET (Oxyde Métallique)	12W	8 LSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500	2 N-Canal (Demi-pont)						30V	40a		-	2,1 V @ 250µA	19nc @ 4,5 V		3190pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD75205W1015	-	RFQ	8868	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-ufbga, dsbga		CSD75205	MOSFET (Oxyde Métallique)	750mw	6-DSBGA (1x1,5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)						20V	1.2A		120 MOHM @ 1A, 4,5 V	850 mV à 250µA	2.2nc @ 4,5 V		265pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
LMG3526R030RQST	31.6900	RFQ	8357	Texas Instruments	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Soutien de la surface, flanc Mouillable	Pad Exposé 52-VQFN	Mosfet					-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté	EAR99	8542.39.0001	250	Onduleur de Demi-pont			55 A	650 V	-
ULN2803CDWR	1.2600	RFQ	4282	Texas Instruments	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	20-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		ULN2803		-	20 ans	télécharger	Non applicable	1 (illimité)		EAR99	8542.39.0001	2 000																								50v	500mA	50 µA	8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
SN83939N	-	RFQ	6586	Texas Instruments	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1
CSD19506KTT	5.3300	RFQ	126	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa		CSD19506	MOSFET (Oxyde Métallique)		DDPAK / TO-263-3	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	500			Canal n				80 V	200A (TA)	6v, 10v	2,3MOHM @ 100A, 10V	3,2 V @ 250µA	156 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 40 V	-	375W (TC)
UC1610J	7.3500	RFQ	76	Texas Instruments	*	Vrac	Actif									télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.10.0080	1
CSD75211W1723	-	RFQ	2799	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	12-ufbga, dsbga		CSD75211	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,5 w	12-DSBGA	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)						20V	4.5a		40 mohm @ 2a, 4,5 V	1,1 V @ 250µA	5.9nc @ 4,5 V		600pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
CSD17570Q5B	2.3600	RFQ	11	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD17570Q5	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n				30 V	100A (TA)	4,5 V, 10V	0,69MOHM @ 50A, 10V	1,9 V à 250µA	121 NC @ 4,5 V	± 20V	13600 pf @ 15 V	-	3.2W (TA)
CSD13385F5T	0,9600	RFQ	23	Texas Instruments	FEMTOFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb		CSD13385	MOSFET (Oxyde Métallique)		3-Picostar	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	250			Canal n				12 V	4.3A (TA)	1,8 V, 4,5 V	19MOHM @ 900mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA	5 NC @ 4,5 V	8v	674 PF @ 6 V	-	500mw (TA)
CSD17581Q5AT	1.0400	RFQ	2	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD17581	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal n				30 V	24a (TA), 123A (TC)	4,5 V, 10V	3,4MOHM @ 16A, 10V	1,7 V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 20V	3640 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 83W (TC)
CSD87330Q3D	1.5600	RFQ	33	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerLDFN		CSD87330	MOSFET (Oxyde Métallique)	6W	8 Lans (3,3x3,3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500	2 N-Canal (Demi-pont)						30V	20A		-	2,1 V @ 250µA	5.8nc @ 4,5 V		900pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD87352Q5D	1.8500	RFQ	15	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerLDFN		CSD87352Q5	MOSFET (Oxyde Métallique)	8,5 W	8 LSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)						30V	25A		-	1,15 V @ 250µA	12.5nc @ 4,5 V		1800pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD19531Q5AT	2.1400	RFQ	7	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD19531	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal n				100 V	100A (TA)	6v, 10v	6,4MOHM @ 16A, 10V	3,3 V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	3870 PF @ 50 V	-	3.3W (TA), 125W (TC)
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD1632	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n				25 V	31A (TA), 100A (TC)	3v, 8v	2,4 mohm @ 25a, 8v	1,4 V @ 250µA	19 NC @ 4,5 V	+ 10v, -8V	3100 pf @ 12,5 V	-	3.1W (TA)
CSD13383F4	0,5000	RFQ	1	Texas Instruments	FEMTOFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn		CSD13383	MOSFET (Oxyde Métallique)		3-Picostar	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n				12 V	2.9A (TA)	2,5 V, 4,5 V	44MOHM @ 500mA, 4,5 V	1,25 V @ 250µA	2,6 NC @ 4,5 V	± 10V	291 PF @ 6 V	-	500mw (TA)
CSD25404Q3T	1.3800	RFQ	9	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		CSD25404	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (3x3.15)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal p				20 V	104A (TC)	1,8 V, 4,5 V	6,5 mohm @ 10a, 4,5 V	1,15 V @ 250µA	14.1 NC @ 4,5 V	± 12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W (TA), 96W (TC)
CSD19534KCS	1.5900	RFQ	545	Texas Instruments	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		CSD19534	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n				100 V	100A (TA)	6v, 10v	16,5MOHM @ 30A, 10V	3,4 V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	± 20V	1670 PF @ 50 V	-	118W (TC)
UC3611dw	4.9932	RFQ	3814	Texas Instruments	-	Tube	Actif		Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		UC3611	Schottky		16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	40		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															4 indépendants	50 V	3A (DC)	1,2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-0 ° C ~ 70 ° C
CSD18540Q5B	2.6700	RFQ	3	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD18540	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n				60 V	100A (TA)	4,5 V, 10V	2,2MOHM @ 28A, 10V	2,3 V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 20V	4230 pf @ 30 V	-	3.1W (TA), 195W (TC)
Uln2803adwrg4	-	RFQ	4620	Texas Instruments	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		ULN2803		-	18 ans	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 000																								50v	500mA	-	8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
Tps1101pwr	0,9823	RFQ	9062	Texas Instruments	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)		TPS1101	MOSFET (Oxyde Métallique)		16-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000			Canal p				15 V	2.18A (TA)	2,7 V, 10V	90MOHM @ 2,5A, 10V	1,5 V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+ 2v, -15v		-	710mw (TA)
CSD19538Q2	0,5600	RFQ	3329	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		CSD19538	MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WSON (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n				100 V	14.4A (TA)	6v, 10v	59MOHM @ 5A, 10V	3,8 V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	± 20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W (TA), 20.2W (TC)
CSD19538Q2T	1.1100	RFQ	5	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		CSD19538	MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WSON (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal n				100 V	13.1a (TC)	6v, 10v	59MOHM @ 5A, 10V	3,8 V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	± 20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W (TA), 20.2W (TC)
CSD22204W	0,6500	RFQ	3	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	9-ufbga, dsbga		CSD22204	MOSFET (Oxyde Métallique)		9-DSBGA	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p				8 V	5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	9.9MOHM @ 2A, 4,5 V	950 mV à 250µA	24,6 NC @ 4,5 V	-6v	1130 pf @ 4 V	-	1.7W (TA)
CSD25302Q2	-	RFQ	4281	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6 mm, plombes plombes		CSD2530	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 fils	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p				20 V	5A (TC)	1,8 V, 4,5 V	49MOHM @ 3A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	3,4 NC @ 4,5 V	± 8v	350 pf @ 10 V	-	2.4W (TA)
CSD17483F4T	0,9400	RFQ	9	Texas Instruments	FEMTOFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn		CSD17483	MOSFET (Oxyde Métallique)		3-Picostar	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	250			Canal n				30 V	1.5A (TA)	1,8 V, 4,5 V	240mohm @ 500mA, 8v	1,1 V @ 250µA	1,3 NC @ 4,5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500mw (TA)
CSD17578Q5AT	1.3600	RFQ	1	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD17578	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal n				30 V	25A (TA)	4,5 V, 10V	6,9MOHM @ 10A, 10V	1,9 V à 250µA	22.3 NC @ 10 V	± 20V	1510 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 42W (TC)
CSD17308Q3T	1.0100	RFQ	830	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		CSD17308	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (3,3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	250			Canal n				30 V	14A (TA), 44A (TC)	3v, 8v	10.3MOHM @ 10A, 8V	1,8 V à 250µA	5.1 NC @ 4,5 V	+ 10v, -8V	700 pf @ 15 V	-	2.7W (TA), 28W (TC)