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Produits semi-conduurs discrètes (471)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD19532KTT | 2.6600 |  | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 5,6MOHM @ 90A, 10V | 3,2 V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5060 PF @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||
 | CSD16415Q5T | 2.8200 | | 325 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,15MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||
 | CSD19538Q3A | 0,6500 | | 9125 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 15A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | ||||||||||
| CSD16409Q3 | 0,9700 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16409 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,2MOHM @ 17A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 5.6 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 800 pf @ 12,5 V | - | 2.6W (TA) | ||||||||||
 | TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TPS1120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 840mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 75 | 2 Canal P (double) | 15V | 1.17A | 180MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 5.45nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
 | CSD17552Q3A | 0,9700 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17552 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 films (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 11A, 10V | 1,9 V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2050 pf @ 15 V | - | 2.6W (TA) | ||||||||||
| CSD16404Q5A | 1.0900 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 81A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1220 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
| CSD18509Q5BT | 2.8100 | | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,2MOHM @ 32A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 13900 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
| CSD88539NDT | 1 0000 | | 12 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88539 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 28MOHM @ 5A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 9.4nc @ 10v | 741pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
 | CSD88584Q5DC | 3.7700 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 22 PowerTFDFN | CSD88584Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 40V | - | 0,95 mohm @ 30a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 88nc @ 4,5 V | 12400pf @ 20v | - | ||||||||||||
 | SN75468N | 1.0100 | | 820 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 75468 | - | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
 | CSD22205L | 0,5400 | | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xflga | CSD22205 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 7.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 1A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | -6v | 1390 pf @ 4 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||
| CSD19535KTTT | 4.1200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 3,4 mohm @ 100a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
 | CSD13302W | 0.4900 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD13302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 1.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 17.1MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 7,8 NC @ 4,5 V | ± 10V | 862 PF @ 6 V | - | 1.8W (TA) | ||||||||||
| CSD18510Q5B | 2.3200 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 300A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,96MOHM @ 32A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 156W (TC) | ||||||||||
 | LM394CH / NOPB | - | | 9184 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Boîte | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | TO-99-6 METAL CAN | LM394 | 500mw | 14-VSON (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 500 | 20V | 20 mA | - | 2 npn (double) | 100 mV à 100 µA, 1MA | - | - | ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | 1.1300 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16342 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 2,5 V, 8V | 4,7MOHM @ 20A, 8V | 1,1 V @ 250µA | 7.1 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
| SN75469n | 1.0100 | | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SN75469 | - | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
| CSD17577Q5AT | 1.4100 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | ||||||||||
 | SN75468NSRG4 | - | | 8967 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | 75468 | - | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | 1.6500 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 28a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 1,9 V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 2660 PF @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
| CSD16413Q5A | 1 4000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 24A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 24A, 10V | 1,9 V à 250µA | 11,7 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1780 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | CSD75208W1015T | 1.1300 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD75208 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 750mw | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | 2 Source Commun du Canal P (double) | 20V | 1.6a | 68MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 2.5nc @ 4,5 V | 410pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
 | CSD13380F3 | 0 4500 | | 79 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13380 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 400mA, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 1,2 NC @ 4,5 V | 8v | 156 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
 | CSD18535KCS | 3.1400 | | 1074 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 200A (TA) | 4,5 V, 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 6620 pf @ 30 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| CSD17581Q3AT | 0,9700 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17581 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 63W (TC) | ||||||||||
| CSD17306Q5A | 1.3700 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17306 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 24A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 3,7MOHM @ 22A, 8V | 1,6 V @ 250µA | 15,3 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 2170 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||
| CSD19533KCS | 1.7500 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 10,5 mohm @ 55a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 PF @ 50 V | - | 188W (TC) | ||||||||||
 | 2N3303 | - | | 2057 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Obsolète | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD86350Q5D | 2.7700 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD86350Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 13W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 25V | 40a | 6MOHM @ 20A, 8V | 2,1 V @ 250µA | 10.7nc @ 4,5 V | 1870pf à 12,5v | Porte de Niveau Logique |
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