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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD18532Q5B | 2.4800 | ![]() | 753 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 25A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 30 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD16556Q5B | 2.3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1.07MOHM @ 30A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 47 NC @ 4,5 V | ± 20V | 6180 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA), 191W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD19537Q3T | 1,6000 | ![]() | 1947 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD19537Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 50A (TA) | 6v, 10v | 14,5 mohm @ 10a, 10v | 3,6 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD13381F4T | 0,9300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13381F4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 2.1A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 180MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,4 NC @ 4,5 V | 8v | 200 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17573Q5B | 1.6200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17573Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1MOHM @ 35A, 10V | 1,8 V à 250µA | 64 NC @ 4,5 V | ± 20V | 9000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD87333Q3D | 1,3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Csd87333q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 15A | 14.3MOHM @ 4A, 8V | 1,2 V à 250µA | 4.6nc @ 4,5 V | 662pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||
![]() | CSD17578Q3A | 0,6900 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17578 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 20A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,3MOHM @ 10A, 10V | 1,9 V à 250µA | 22.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 37W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD23202W10 | 0,4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD23202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 2.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 53MOHM @ 500mA, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 3,8 NC @ 4,5 V | -6v | 512 pf @ 6 V | - | 1W (ta) | ||||||||||
![]() | CSD16570Q5BT | 2.8000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16570 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 0,59MOHM @ 50A, 10V | 1,9 V à 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD23203WT | 1.1000 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD23203 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 8 V | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19.4MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,3 NC @ 4,5 V | -6v | 914 PF @ 4 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||
![]() | CSD22204WT | 1.2100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 2A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 24,6 NC @ 4,5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17578Q5A | 0 7600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17578 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 25A (TA) | 4,5 V, 10V | 6,9MOHM @ 10A, 10V | 1,9 V à 250µA | 22.3 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD17313Q2T | 1.1900 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD17313 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 5A (TA) | 3v, 8v | 30MOHM @ 4A, 8V | 1,8 V à 250µA | 2,7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD85302LT | 1.1500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xflga | CSD85302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.7W | 4-Picostar (1.31x1.31) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | - | 7.8nc @ 4,5 V | - | - | ||||||||||||
![]() | CSD87502Q2 | 0,5900 | ![]() | 76 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD87502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5A | 32.4MOHM @ 4A, 10V | 2V à 250µA | 6nc @ 10v | 353pf @ 15v | - | ||||||||||||
![]() | CSD23280F3 | 0 4500 | ![]() | 63 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 1.8A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 116MOHM @ 400mA, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 1,23 NC @ 4,5 V | -6v | 234 PF @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD87335Q3DT | 1.9200 | ![]() | 232 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87335Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8 Lans (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 30V | 25A | - | 1,9 V à 250µA | 7.4nc @ 4,5 V | 1050pf @ 15v | - | ||||||||||||
![]() | CSD19505KTTT | 4.1300 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 3,1MOHM @ 100A, 10V | 3,2 V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 7920 PF @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD86336Q3D | 0,7232 | ![]() | 2118 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD86336Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 25V | 20A (TA) | 9.1MOHM @ 20A, 5V, 3,4MOHM @ 20A, 5V | 1,9 V @ 250µA, 1,6 V @ 250µA | 3.8nc @ 45v, 7.4nc @ 45V | 494pf @ 12,5v, 970pf @ 12,5v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||
![]() | CSD86356Q5DT | 2.8700 | ![]() | 8743 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD86356 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W (TA) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 25V | 40A (TA) | 4,5 mohm @ 20a, 5v, 0,8MOHM @ 20A, 5V | 1,85 V @ 250µA, 1,5 V @ 250µA | 7.9nc @ 4.5v, 19.3nc @ 4.5 V | 1040pf @ 12,5v, 2510pf à 12,5v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||
![]() | CSD25303W1015 | - | ![]() | 2361 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD2530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 58MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4.3 NC @ 4,5 V | ± 8v | 435 PF @ 10 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||
![]() | SN75468NG4 | - | ![]() | 9120 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Abandonné à sic | 150 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 75468 | - | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
SN75468DR | 0,8800 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 75468 | - | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
![]() | SN75468NSR | 1.8100 | ![]() | 3599 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | 75468 | - | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
![]() | CSD17581Q5A | 0,8800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17581 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 24a (TA), 123A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD23285F5 | 0,5300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23285 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 35MOHM @ 1A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 4.2 NC @ 4,5 V | -6v | 628 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD18511Q5AT | 1.6700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 159a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 24a, 4,5 V | 2 45 V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 5850 pf @ 10 V | - | 104W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD17576Q5BT | 1.5700 | ![]() | 477 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17576Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2MOHM @ 25A, 10V | 1,8 V à 250µA | 32 NC @ 4,5 V | ± 20V | 4430 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD18503Q5AT | 1.7100 | ![]() | 733 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 16 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2640 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD13380F3T | 0,9400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13380 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 400mA, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 1,2 NC @ 4,5 V | 8v | 156 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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