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Produits semi-conduurs discrètes (471)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Current - Rectifié Moyen (IO) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18514Q5A | 0,9600 |  | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18514 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 89a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2680 pf @ 20 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD18510KTT | 2 5000 | | 338 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 40 V | 274A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 100A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 250W (TA) | ||||||||||||||||||
 | LM395T | 5.2500 | | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 220-3 | LM395 | À 220-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| CSD18534Q5AT | 1.2900 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 50A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.8MOHM @ 14A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 11.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD13202Q2T | - | | 7046 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD13202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 12 V | 14.4A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.3MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 997 PF @ 6 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | 2.4900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,15MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD87355Q5DT | 2.9500 | | 750 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 45a | - | 1,9 V à 250µA | 13.7nc @ 4,5 V | 1860pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||||||||||
| CSD18501Q5A | 1.8100 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 25A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD18543Q3AT | 1.0200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD18543 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 12A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 15,6MOHM @ 12A, 4,5 V | 2,7 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Standard | 66W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD18533KCS | 1,7000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 72A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,3MOHM @ 75A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 3025 PF @ 30 V | - | 192W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD25402Q3A | 0,9200 | | 53 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD25402Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 76a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 8,9MOHM @ 10A, 4,5 V | 1,15 V @ 250µA | 9,7 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1790 PF @ 10 V | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | 2.9600 | | 793 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 40a, 10v | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD18511KTTT | 2.0100 | | 657 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | CSD18511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 110a (TA), 194a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 100A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5940 PF @ 20 V | - | 188W (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD75207W15 | 0,6800 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD75207 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Source Commun du Canal P (double) | - | 3.9a | 162MOHM @ 1A, 1,8 V | 1,1 V @ 250µA | 3.7NC @ 4,5 V | 595pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||
 | CSD23285F5T | 0.9900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | CSD23285 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 5.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 35MOHM @ 1A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 4.2 NC @ 4,5 V | -6v | 628 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD19536KTT | 5.0600 | | 923 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 3,2 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD19502Q5BT | 3.0100 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 4.1MOHM @ 19A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 PF @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD83325LT | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-XFBGA | CSD83325 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) draine commun | 12V | - | - | 1,25 V @ 250µA | 10.9nc @ 4,5 V | - | - | ||||||||||||||||||||
 | CSD23280F3T | 0,9400 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 1.8A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 116MOHM @ 400mA, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 1,23 NC @ 4,5 V | -6v | 234 PF @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||
 | SN75469d | 1.0600 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SN75469 | - | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | CSD13381F4 | 0.4400 | | 503 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 2.1A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 180MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,4 NC @ 4,5 V | 8v | 200 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD13202Q2 | 0,5800 | | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD13202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 22a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 9.3MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 997 PF @ 6 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD25485F5T | 0,9800 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25485 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 1,8 V, 8V | 35MOHM @ 900mA, 8V | 1,3 V à 250µA | 3,5 NC @ 4,5 V | -12v | 533 PF @ 10 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD25484F4T | 0,9100 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 1,8 V, 8V | 94MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 1,42 NC @ 4,5 V | -12v | 230 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD18512Q5B | 1 9000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18512 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 211A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 30a, 10v | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 7120 PF @ 20 V | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Uc3610dwtr | 3.8235 | | 9559 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | UC3610 | Schottky | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | 1,3 V @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 3 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | 1.7700 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 31A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,4 mohm @ 25a, 10v | 1,9 V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 2660 PF @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||||
| CSD18504KCS | 1.6200 | | 103 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18504 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 53A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 40A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 20 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||
 | CSD87351ZQ5D | 0,9692 | | 7926 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 32a | - | 2,1 V @ 250µA | 7.7nc @ 4,5 V | 1255pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||
 | LM3046M | - | | 5963 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | LM3046 | 750mw | 14-SOIC | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 55 | - | 15V | 50m | 5 npn | 40 @ 1MA, 3V | - | 3,25 dB à 1KHz |
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