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Produits semi-conduurs discrètes (5680)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Type de transistor | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UPA2802T1L-E2-AY | 1.2900 |  | 210 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 18A (TA) | 5,8MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 16 NC @ 5 V | 1800 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA1793G-E1-AT | 0,6000 | | 5 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | UPA1793 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8 PSOP | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 20V | 3A | 69MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 3.1NC @ 4V | 160pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||
 | RJK03B7DPA-00 # J53 | 0,5500 | | 12 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WPAK | - | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30A (TA) | 7,8MOHM @ 15A, 10V | - | 11 NC @ 4,5 V | 1670 PF @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| RJK0379DPA-00 # J5A | 1.4800 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WPAK | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 50A (TA) | 2,3MOHM @ 25A, 10V | - | 37 NC @ 4,5 V | 5150 pf @ 10 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | UPA810T-T1-A | 0,4300 | | 807 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 9 dB | 12V | 100 mA | 2 npn (double) | 70 @ 7mA, 3V | 4,5 GHz | 1,2 dB à 1Hz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3814-AZ | 1.5200 | | 6 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 8,7MOHM @ 30A, 10V | - | 95 NC @ 10 V | 5450 PF @ 10 V | - | 1W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2521T1H-T2-AT | 0,7200 | | 84 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSOF | - | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8a (ta) | 16,5MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 7,6 NC @ 5 V | 780 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NE4210S01-T1B | 1 0000 | | 5276 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 4 V | 4 md | 12 GHz | Hfet | SMD | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 15m | 10 mA | - | 13db | 0,5 dB | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA620TT-E1-A | 0,2700 | | 8 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 WSOF | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 5A (TA) | 38MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 5,5 NC @ 4 V | 450 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1977-T1B-A | - | | 2721 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT23-3 (à 236) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 12 dB | 12V | 50m | Pnp | 20 @ 20mA, 8V | 8,5 GHz | 1,5 dB à 1Hz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2858-T1-A | 0,0200 | | 38 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-3, SSP, mini-boule miniature | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 100mA (TA) | 5OHM @ 10mA, 10V | 1,8 V @ 10µA | 9 pf @ 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA1807GR-9JG-E1-A | 0,6700 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TA) | 10MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | 1000 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0364DPA-00 # J0 | 0,6500 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WPAK (3) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TA) | 7,8MOHM @ 17,5A, 10V | - | 10 NC @ 4,5 V | 1600 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Hvc355btrf | 0 1700 | | 38 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 2-UFP | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | 2,95pf @ 4v, 1 MHz | Célibataire | 15 V | 2.2 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP80N04PDG-E1B-AY | 1.8400 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 4,5 mohm @ 40a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| UPA650TT-E1-A | 0,3100 | | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 WSOF | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5A (TA) | 50MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 5,5 NC @ 10 V | 610 PF @ 10 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| UPA1818GR-9JG-E1-A | 0,8000 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 10A (TA) | 15.2MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 20 nc @ 4 V | 2200 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NP80N04MLG-S18-AY | 1.8400 | | 7 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 4,8MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| KGF20N035D | - | | 5959 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Kgf20 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 559 KGF20N035DTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| KGF20N05D | - | | 5698 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 20-uflga, csp | Kgf20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.5W (TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 559 kgf20n05dtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) couronne source | 5,5 V | 20A (TJ) | 1,6 mohm @ 10a, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 6.7nc @ 4,5 V | 865pf @ 5v | - | ||||||||||||||||||||||||
| UPA621TT-E1-A | 0,2800 | | 30 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 WSOF | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 5A (TA) | 50MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 3,3 NC @ 4 V | 270 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| RJK0395DPA-00 # J5A | 0,5100 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WPAK | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30A (TA) | 7,7MOHM @ 15A, 10V | - | 11 NC @ 4,5 V | 1670 PF @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| RJK0396DPA-00 # J53 | 0,6800 | | 21 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WPAK | - | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30A (TA) | 9MOHM @ 15A, 10V | - | 9 NC @ 4,5 V | 1330 pf @ 10 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2463T1Q-E1-AX | 0,3800 | | 24 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-Huson (2,7x2) | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6a (ta) | 20 mohm @ 3a, 10v | - | 7 NC @ 4 V | 680 pf @ 10 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
| UPA2520T1H-T2-AT | 0,7800 | | 9 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSOF | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 13.2MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 10,8 NC @ 5 V | 1100 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
| HZM6.8Z4MWATR-E | 0 2400 | | 16 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Obsolète | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB504CDS-TL-E | 0 2400 | | 963 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB502CBS-TL-H | 0,1800 | | 60 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ328-Z-AZ | 2.7800 | | 125 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 125 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Hzm7.5nb2tr-e | 0,1800 | | 8 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 |
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