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Produits semi-conduurs discrètes (35)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
ICE22N60W	-	RFQ	1286	Technologie Icemos	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 247	télécharger	5133-ice22n60w	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	600 V	22A (TC)	10V	160MOHM @ 11A, 10V	3,9 V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 20V	2730 pf @ 25 V	-	208W (TC)
ICE15N73	-	RFQ	6209	Technologie Icemos	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220	télécharger	5133-ice15n73	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	730 V	15A (TC)	10V	350mohm @ 7,5a, 10v	3,5 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2816 PF @ 100 V	-	208W (TC)
ICE10N73	-	RFQ	2437	Technologie Icemos	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220	télécharger	5133-ice10n73	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	730 V	10A (TC)	10V	350mohm @ 5a, 10v	3,5 V @ 250µA	81 NC @ 10 V	± 20V	2624 PF @ 25 V	-	208W (TC)
ICE20N60EFP	2.4800	RFQ	900	Technologie Icemos	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220fp	télécharger	5133-ice20n60efp	EAR99	8541.29.0095	50	Canal n	600 V	20A (TC)	10V	190MOHM @ 10A, 10V	3,9 V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 20V	2064 PF @ 25 V	-	35W (TC)
ICE60N199	-	RFQ	3334	Technologie Icemos	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220	télécharger	5133-ice60n199	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	600 V	20A (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	3,9 V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1890 PF @ 25 V	-	180W (TC)