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Produits semi-conduurs discrètes (10)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	Norme de package	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f
MSHM30N46	0 4500	RFQ	150	Bruckewell	Dfn3x3	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	MOSFET (Oxyde Métallique)	DFN3333	télécharger	Rohs conforme		Atteindre Affeté	4727-MSHM30N46TR	EAR99	1		Canal n	30 V	46A (TA)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA		± 20V		Standard	-
CBR06P65HL	1.9900	RFQ	10	Bruckewell	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif		Support de surface	4 Powertsfn	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	4-DFN (8x8)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)													650 V		1,7 V @ 6 A	0 ns	20 µA à 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	18a	-
CBR20120PC	12.0100	RFQ	10	Bruckewell	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220-3L	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												1 paire la commune de cathode	1200 V	20A	1,7 V @ 10 A	0 ns	100 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
CBR08P65D	2.2500	RFQ	10	Bruckewell	Automobile, AEC-Q101	Ruban de Coupé (CT)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252-2L	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)													650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	25 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	29A	-
CBR10P65HL	2.7300	RFQ	2959	Bruckewell	-	Tube	Actif		Support de surface	4 Powertsfn	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	4-DFN (8x8)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)													650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	25 µA à 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
MS23P05	0.1300	RFQ	2	Bruckewell	SOT-23	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23	télécharger	Rohs conforme		Atteindre Affeté	4727-MS23P05TR	EAR99	1		Canal p	20 V	3.1A (TA)	1,8 V, 10V	55MOHM @ 3A, 10V	1,2 V à 250µA	9,7 NC @ 4,5 V	± 12V	686 pf @ 15 V	-	1W (ta)
MS40N05	0.1900	RFQ	1	Bruckewell	SOT-23	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23	télécharger	Rohs conforme		Atteindre Affeté	4727-MS40N05TR	EAR99	1		Canal n	40 V	5A (TA)	4,5 V, 10V	32MOHM @ 4A, 10V	2,5 V @ 250µA	5,5 NC @ 4,5 V	± 20V	593 PF @ 15 V	-	1.25W (TA)
US1M	0,3600	RFQ	81	Bruckewell	Sma	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard	DO-214AC (SMA)	télécharger	Rohs conforme		Atteindre Affeté	4727-US1MTR	EAR99	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1000 V		1,7 V @ 2 A	75 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	1A
CBR10P65	2.7300	RFQ	10	Bruckewell	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220-2L	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)													650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	25 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	29A	-
CBR20P65PC	5.1900	RFQ	10	Bruckewell	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220-3L	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)				10	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												1 paire la commune de cathode	650 V	21A	1,7 V @ 10 A	0 ns	25 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C