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Produits semi-conduurs discrètes (9)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	FET FONCTION	Silhouette	Tension - test
TA9410E	70.0000	RFQ	105	Technologie Tagore	-	Plateau	Actif	50 V		Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN		20 MHz ~ 3 GHz	Gan Hemt		8-QFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.33.0001	1		30A		25W	17 dB						-
TP44100SG	-	RFQ	3	Technologie Tagore	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	650 V		Support de surface	22-POWERVFQFN	TP44100	-	Gan Hemt		22-QFN (5x7)	télécharger		1 (illimité)					1	Canal p	-		-	-						-
TP44220HB	7.8100	RFQ	2606	Technologie Tagore	-	Plateau	Actif		-	Support de surface	30 Powerwfqfn	TP44220		Ganfet (niture de gallium)	-	30-QFN (8x10)	télécharger		1 (illimité)					1	2 N-Canal (Demi-pont)					650V	-	-	-	-
TP44110HB	11.6700	RFQ	5144	Technologie Tagore	-	Plateau	Actif		-	Support de surface	30 Powerwfqfn	TP44110		Ganfet (niture de gallium)	-	30-QFN (8x10)	télécharger		1 (illimité)					1	2 N-Canal (Demi-pont)					650V	-	-	-	-
TP44200SG	-	RFQ	3	Technologie Tagore	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	650 V		Support de surface	22-POWERVFQFN	TP44200	-	Gan Hemt		22-QFN (5x7)	télécharger		1 (illimité)					1	Canal p	-		-	-						-
TA9210D	47.9800	RFQ	101	Technologie Tagore	-	Plateau	Actif	120 V				TA9210	30 MHz ~ 4 GHz	Gan Hemt			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-2715-ta9210d	5A991G	8542.33.0001	1		700mA	50 mA	12.5W	18 dB						-	32 V
TA9310E	49.9900	RFQ	40	Technologie Tagore	-	Bande	Actif	120 V		Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	TA9310	30 MHz ~ 4 GHz	Gan Hemt		8-QFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		Disque 3a001b3	8542.33.0001	1		-	100 mA	20W	17,5 dB						-	32 V
TP44440HB	6.0100	RFQ	100	Technologie Tagore	-	Plateau	Actif		-	Support de surface	30 Powerwfqfn	TP44440		Ganfet (niture de gallium)	-	30-QFN (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)					1	2 N-Canal (Demi-pont)					650V	-	-	-	-
TP44400SG	-	RFQ	3	Technologie Tagore	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	650 V		Support de surface	22-POWERVFQFN	TP44400	-	Gan Hemt		22-QFN (5x7)	télécharger		1 (illimité)					1	Canal p	-		-	-						-