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Produits semi-conduurs discrètes (455)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBP206 | 0,8500 |  | 19 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-kbp206 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 2 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| BR801 | 1.3500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR801 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 A | 10 µA à 100 V | 8 A | Monophasé | 100 V | ||||||||||||
| 1N4005T / R | 0,0300 | | 75 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4005T / RTR | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
 | 1N5243BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5243BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 500 na @ 9,9 V | 13 V | 13 ohms | ||||||||||||
| 1N4742A | 0,0510 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4742atr | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9,1 V | 12 V | 9 ohms | ||||||||||||
| RBV2502 | 1.5900 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV2502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||
| 1N4743abulk | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4743abulk | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9,9 V | 13 V | 10 ohms | ||||||||||||
 | BY255 | 0,2500 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439 par 255 | 8541.10.0000 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1300 V | 1.1 V @ 3 A | 20 µA @ 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| FR155T / R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR155T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,4 V @ 1,5 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N4744AT / R | 0,0650 | | 100 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4744AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 14 ohms | ||||||||||||
| 1N4740A | 0.1050 | | 21 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Boîte | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA à 7,6 V | 10 V | 7 ohms | ||||||||||||
| FR301T / R | 0,1100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR301T / RTR | 8541.10.0000 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR5002 | 2.8900 | | 850 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR5002 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 200 V | 50 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
| 1N5353BBULK | 0,3900 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5353BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA @ 12,2 V | 16 V | 2,5 ohms | ||||||||||||
| 1N4756AT / R | 0,0600 | | 30 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4756AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA à 35,8 V | 47 V | 80 ohms | ||||||||||||
| 1N751abulk | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n751abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohms | ||||||||||||
| 1N5361bulk | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5361bulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 na @ 20,6 V | 27 V | 5 ohms | ||||||||||||
| SML4759A | 0,0462 | | 30 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1 W | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-SML4759atr | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 47,1 V | 62 V | 125 ohms | ||||||||||||
| 1N5242BBULK | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5242BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9,1 V | 12 V | 30 ohms | ||||||||||||
| 1N4736abulk | 0,1800 | | 13 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4736abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 4 V | 6,8 V | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1N756AT / R | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N756AT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 8.2 V | 8 ohms | ||||||||||||
| 1N5818bulk | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Schottky | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5818bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
| 1N5380Bbulk | 0,3800 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5380BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 na @ 91,2 V | 120 V | 170 ohms | ||||||||||||
| SS1D | 0.1300 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-SS1DTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
| Byv26e | 0,2100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Avalanche | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439 PAR BYV26E | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 2,5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
| 1N4743A | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Boîte | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4743A | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9,9 V | 13 V | 10 ohms | ||||||||||||
| RBV2504 | 1,7000 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV2504 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA @ 400 V | 25 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| 1N5228BT / R | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5228BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3,9 V | 23 ohms | ||||||||||||
| 1N5350BBULK | 0,3600 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5350BBULK | EAR99 | 8541.10.0050 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA @ 9,9 V | 13 V | 2,5 ohms | |||||||||||
| 1N5242BT / R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5242BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9,1 V | 12 V | 30 ohms |
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