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Produits semi-conduurs discrètes (455)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Her103bulk | 0,2100 |  | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her103bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| 1N5936BT / R | 0,0600 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,5 w | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5936BT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1 µA @ 22,8 V | 30 V | 26 ohms | |||||||||||||
| BR802 | 0,9100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR802 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 8 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
| BYD13kbulk | 0,2100 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Avalanche | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439 BYD13kbulk | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1 05 V @ 1 A | 1 µA @ 800 V | 175 ° C | 1.4a | - | |||||||||||
 | Her306bulk | 0,2800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her306bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| BYD13JBULK | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Avalanche | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-byd13jbulk | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 05 V @ 1 A | 1 µA @ 600 V | 175 ° C | 1.4a | - | |||||||||||
| RBV1004 | 1.3800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1004 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 400 V | 10 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| RBV5010 | 3.9300 | | 260 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5010 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA à 1000 V | 50 a | Monophasé | 1 kv | |||||||||||
| RBV1506D | 1.6500 | | 50 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1506D | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| RBV2502D | 1.7400 | | 100 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV2502D | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||
| RBV2508 | 1.7400 | | 700 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV2508 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||
| RBV606 | 1.1000 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV606 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 600 V | 6 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| SF16-Bulk | 0 2200 | | 16 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-SF16-Bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
| RGP02-20E-Bulk | 0 2900 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RGP02-20E-Bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2000 V | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 5pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
| SS3D / B | 0.4400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-SS3D / BTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
| W04 | 0,2100 | | 8 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 circulaires, WOB | Standard | Patauger | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-W04TR | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1,5 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||
| 1N4746A | 0,1000 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Boîte | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4746A | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13,7 V | 18 V | 20 ohms | ||||||||||||
| 1N5341B | 0,4360 | | 24 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5341BTR | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohms | ||||||||||||
| 1N4745A | 0,5750 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4745atr | 8541.10.0000 | 4 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | ||||||||||||
 | 1N4148T / R | 0,0130 | | 350 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N4148 | Standard | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4148T / RTR | 5 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C | 150m | - | |||||||||
| 1N4006T / R | 0,0300 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4006T / RTR | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N4001 | 0,0240 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4001 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N4007C.BO | 0.1300 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4007C.BO | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N5353BBULK | 0,3900 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5353BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA @ 12,2 V | 16 V | 2,5 ohms | ||||||||||||
| 1N4760AT / R | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4760AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 51,7 V | 68 V | 150 ohms | ||||||||||||
| 1N5247BT / R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5247BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohms | ||||||||||||
| 1N5406bulk | 0,1800 | | 26 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5406bulk | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N5393 | 0,1800 | | 60 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5393 | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N4735abulk | 0,1800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4735abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohms | ||||||||||||
| 1N4741T / R | 0,0600 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4741T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8,4 V | 11 V | 8 ohms |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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