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Produits semi-conduurs discrètes (455)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
BR3504	2.6900	RFQ	300	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3504		8541.10.0000	50			1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 400 V		35 A		Monophasé	400 V
RBV1001	1.2400	RFQ	400	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1001		8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA à 100 V		10 a		Monophasé	100 V
1N755abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n755abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						7,5 V	6 ohms
BR5008	2.9900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5008		8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		50 a		Monophasé	800 V
1N5228BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5228BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,9 V	23 ohms
Z1110-T / R	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-Z1110-T / RTR		8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 83,6 V						110 V	450 ohms
SB390	0,4000	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SB390-Bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	90 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 500 µV	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4739AT / R	0,0800	RFQ	25	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4739AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohms
HER306T / R	0,2000	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N756AT / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N756AT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						8.2 V	8 ohms
SML4759A	0,0462	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DO-214AC, SMA			1 W	SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-SML4759atr		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 47,1 V						62 V	125 ohms
1N4740A	0.1050	RFQ	21	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4740A		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA à 7,6 V						10 V	7 ohms
1N5931AT / R	0,1000	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5931AT / RTR		8541.10.0000	5 000					1 µA @ 13,7 V						18 V	12 ohms
BR610	0,3900	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6		Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-BR610		8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA à 1000 V		6 A		Monophasé	1 kv
SS3D / B	0.4400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AB, SMC		Standard		DO-214AB (SMC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS3D / BTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 3 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4004bulk	0,0900	RFQ	38	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4004bulk			1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5339b	0,2600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5339btr	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 2 V						5.6 V	1 ohms
Her306bulk	0,2800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5245BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5245BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 11 V						15 V	16 ohms
1N4734abulk	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4734abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 V	5 ohms
1N5251BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5251BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 17 V						22 V	29 ohms
HER108T / R	0,1100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-HER108T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,7 V @ 1 A	75 ns	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N752abulk	0,2100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n752abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.6 V	11 ohms
1N5242BBULK	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5242BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		1 µA @ 9,1 V						12 V	30 ohms
1N5250BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5250BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 15 V						20 V	25 ohms
1N5239bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5239BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohms
Esja04-03a	0,6500	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	Axial		Standard		M1A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-esja04-03a		8541.10.0000	300	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	3000 V	12 V @ 10 mA	80 ns	2 µA à 3000 V	120 ° C (max)	1 mA	-
1N4937T / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N4937	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4937T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N751abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n751abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 V	17 ohms
1N5244BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5244BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 10 V						14 V	15 ohms