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Produits semi-conduurs discrètes (455)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Sortie Maximale	Tension - rupture	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Courant - Rupture
RBV1506D	1.6500	RFQ	50	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1506D	8541.10.0000	50					1.1 V @ 15 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
KBP206	0,8500	RFQ	19	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBP	Standard		Kbp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-kbp206	8541.10.0000	100					1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		2 A		Monophasé	600 V
BR5002	2.8900	RFQ	850	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5002	8541.10.0000	50					1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		50 a		Monophasé	200 V
BR601	0,6800	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR601	8541.10.0000	200					1 V @ 3 A		10 µA à 100 V		6 A		Monophasé	100 V
SF16-Bulk	0 2200	RFQ	16	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF16-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			400 V	1,7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
RBV2502	1.5900	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502	8541.10.0000	100					1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
KBL402	1.1000	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-KBL402	8541.10.0000	100					1.1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		4 A		Monophasé	200 V
1N753abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n753abulk	8541.10.0000	500					1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						6.2 V	7 ohms
1N4732T / R	0,0900	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4732T / RTR	8541.10.0000	5 000					1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
FR303T / R	0.1300	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR303T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			200 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BY255	0,2500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439 par 255	8541.10.0000	1250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			1300 V	1.1 V @ 3 A		20 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
FR307Bulk	0 2400	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR307bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			1000 V	1,3 V @ 3 A	500 ns	10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
HER503bulk	0,3100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her503bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			200 V	1.1 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5361bulk	0,3800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5361bulk	8541.10.0000	500					1,2 V @ 1 A		500 na @ 20,6 V						27 V	5 ohms
1N4743A	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4743A	8541.10.0000	1 000					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,9 V						13 V	10 ohms
RBV804	1.2800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV804	8541.10.0000	100					1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 A		Monophasé	400 V
BR801	1.3500	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR801	8541.10.0000	200					1 V @ 4 A		10 µA à 100 V		8 A		Monophasé	100 V
BR600	0,7300	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR600	8541.10.0000	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	50 V
BR5006	4.0000	RFQ	300	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5006	8541.10.0000	50					1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		Monophasé	600 V
KBL408	1.1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-KBL408	8541.10.0000	100					1.1 V @ 4 A		10 µA @ 800 V		4 A		Monophasé	800 V
FBR3506	3 5300	RFQ	150	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FBR3506	8541.10.0000	50					1,3 V @ 17,5 A		10 µA @ 600 V		35 A		Monophasé	600 V
BR3508	2.8900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3508	8541.10.0000	50					1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 800 V		35 A		Monophasé	800 V
RBV2508	1.7400	RFQ	700	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2508	8541.10.0000	100					1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 800 V		25 A		Monophasé	800 V
1N5401T / R	0,0800	RFQ	45	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5401T / RTR	8541.10.0000	1250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			100 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N5247BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5247BT / RTR	8541.10.0000	10 000					1,1 V @ 200 mA		100 na @ 13 V						17 V	19 ohms
FR301T / R	0,1100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR301T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			50 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
KBL401	1.0200	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-KBL401	8541.10.0000	100					1.1 V @ 4 A		10 µA à 100 V		4 A		Monophasé	100 V
D32pbulk	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)		DO-204AL, DO-41, Axial			DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-d32pbulk	8541.10.0000	500		2 A	27 ~ 37V												100 µA
SS1D	0.1300	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS1DTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			200 V	950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
RGP02-16E-T / R	0,1600	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RGP02-16E-T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			1600 V	1,8 V @ 100 mA	300 ns	5 µA à 1600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	500mA	5pf @ 4v, 1mhz