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Produits semi-conduurs discrètes (455)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4750AT / R | 0,0600 |  | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4750AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 20,6 V | 27 V | 35 ohms | |||||||||||
| 1N4749bulk | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4749bulk | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 18,2 V | 24 V | 25 ohms | |||||||||||
 | 1N5402bulk | 0,1800 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5402bulk | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N5402T / R | 0,0800 | | 21 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5402T / RTR | 8541.10.0000 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
| 1N4005bulk | 0.1300 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4005bulk | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
| 1N4728abulk | 0,1500 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4728abulk | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3,3 V | 10 ohms | |||||||||||
| 1N4731abulk | 0.1300 | | 12 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4731abulk | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohms | |||||||||||
| 1N4004T / R | 0,0230 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1N4004T / RTR | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
| RBV1508 | 1,6000 | | 800 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||
| MR760 | 0,7500 | | 350 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | D-6, axial | Standard | D6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-MR760 | 8541.10.0000 | 800 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 900 mV @ 6 a | 25 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 22a | - | |||||||||
| RBV1002 | 1.2800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1002 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||
| RBV1504 | 1 9000 | | 600 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||
| RBV5006 | 3 0000 | | 400 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5006 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | Monophasé | 600 V | ||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | 8 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||
| RBV5002 | 1.8300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5002 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 200 V | 50 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||
| RBV3502 | 1.6800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA @ 200 V | 35 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||
| RBV3510 | 2.8100 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA à 1000 V | 35 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||
| RBV5004 | 3 0000 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 400 V | 50 a | Monophasé | 400 V | ||||||||||
| RBV802 | 1.1500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV802 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 8 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||
| RBV610 | 1.3100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV610 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA à 1000 V | 6 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||
| SK15 | 0,1600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||
| 1N4753AT / R | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4753AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27,4 V | 36 V | 50 ohms | |||||||||||
| BR804 | 0,9200 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 400 V | 8 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| 1N5343b | 0 2590 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5343btr | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 10 µA @ 5,7 V | 7,5 V | 1,5 ohms | |||||||||||
| 15HCB | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-15hcbtr | 8541.10.0000 | 5 000 | |||||||||||||||||||||
| FR103T / R | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR103T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
 | 1N5250BT / R | 0,0400 | | 40 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5250BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohms | |||||||||||
| Her302bulk | 0 2400 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her302bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
| SR1J | 0,0593 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-SR1JTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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