RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Produits semi-conduurs discrètes (455)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N4747abulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4747abulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 15,2 V						20 V	22 ohms
Her303bulk	0,2500	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her303bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5223BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5223BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						2,7 V	30 ohms
1N4732AG	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4732AG		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
1N4750A	0,1800	RFQ	11	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4750A		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 20,6 V						27 V	35 ohms
BR1502	2.3500	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1502		8541.10.0000	50			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 200 V		15 A		Monophasé	200 V
1N5232BBULK	0,1800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5232BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						5.6 V	11 ohms
1N5932BT / R	0,0500	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5932BT / RTR		8541.10.0000	5 000					1 µA @ 15,2 V						20 V	14 ohms
1N5240BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5240BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 8 V						10 V	17 ohms
FR104T / R	0,0400	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR104T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
10A07H	0,3600	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	D-6, axial		Standard		D6	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-10A07HTR	EAR99	8541.10.0080	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 V @ 10 A		10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	80pf @ 4v, 1mhz
FR302T / R	0,1100	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR302T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N4972	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4972		8541.10.0000	1 000			1,5 V @ 1 A		2 µA à 29,7 V						39 V	14 ohms
RBV800	1.0900	RFQ	700	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV800		8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		8 A		Monophasé	50 V
Z1150-T / R	0,0980	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-Z1150-T / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 114 V						150 V	1000 ohms
Mura110	0,8500	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-mura110		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	875 MV @ 1 A	30 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
1N5231BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5231BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 V	17 ohms
1N5819ST / R	0,0400	RFQ	25	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N5819	Schottky		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5819ST / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	40 V	600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4v, 1MHz
By299bulk	0,2300	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 par 299bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 2 A	250 ns	10 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	28pf @ 4v, 1mhz
1N759abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n759abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						12 V	30 ohms
1N5358BBULK	0,3800	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5358BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 16,7 V						22 V	3,5 ohms
RM11b-Bulk	0.1900	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	D-2, axial		Standard		D2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RM11b-Bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	920 MV @ 1,5 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.2A	30pf @ 4v, 1mhz
1N4757AT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4757AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 38,8 V						51 V	95 ohms
HER304BULK	0,2500	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her304bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	300 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N757abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n757abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						9.1 V	10 ohms
SF13-Bulk	0,2100	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF13-Bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	150 V	950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5351A	0.1330	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5351atr		8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 10,1 V						14 V	2,5 ohms
BY550-1000G	0,9100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 Par 550-1000G		8541.10.0000	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 5 A		20 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
SB3B0-T / R	0,3300	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SB3B0-T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5360BBULK	0,4000	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5360BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 19 V						25 V	4 ohms