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Produits semi-conduurs discrètes (455)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Sortie Maximale	Tension - rupture	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Courant - Rupture
RBV3504	2.3100	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV3504	8541.10.0000	100					1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 400 V		35 A		Monophasé	400 V
1N759abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n759abulk	8541.10.0000	500					1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						12 V	30 ohms
BR1504	2.5400	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1504	8541.10.0000	50					1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 400 V		15 A		Monophasé	400 V
RBV1006	1.4600	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1006	8541.10.0000	100					1 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		10 a		Monophasé	600 V
BR604	0,7500	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6		Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR604	8541.10.0000	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 400 V		6 A		Monophasé	400 V
KBP208	0,8500	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBP		Standard		Kbp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-kbp208	8541.10.0000	100					1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		2 A		Monophasé	800 V
RM11b-Bulk	0.1900	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	D-2, axial		Standard		D2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RM11b-Bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			800 V	920 MV @ 1,5 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.2A	30pf @ 4v, 1mhz
RBV600	0.9900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV600	8541.10.0000	100					1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	50 V
RBV604	1.1600	RFQ	400	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV604	8541.10.0000	100					1 V @ 3 A		10 µA @ 400 V		6 A		Monophasé	400 V
1N4746bulk	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4746bulk	8541.10.0000	1 000					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N5819ST / R	0,0400	RFQ	25	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N5819	Schottky		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5819ST / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			40 V	600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4v, 1MHz
1N5349bbulk	0,3600	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5349BBULK	8541.10.0000	500					1,2 V @ 1 A		2 µA @ 9,1 V						12 V	2,5 ohms
1N4735A	0.1300	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4735A	8541.10.0000	1 000					1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						6.2 V	2 ohms
SF54-Bulk	0,6400	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF54-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			200 V	950 MV @ 5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
BR1502M	2.3500	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1502M	8541.10.0000	50					1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 200 V		15 A		Monophasé	200 V
BY33T / R	0,0400	RFQ	140	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 Par 133T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			1300 V	1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
BR1506	2.4100	RFQ	200	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1506	8541.10.0000	50					1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
KBL406M	1.1800	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl		Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-kbl406m	8541.10.0000	100					1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 A		Monophasé	600 V
BR5001	2.9300	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5001	8541.10.0000	50					1.1 V @ 25 A		10 µA à 100 V		50 a		Monophasé	100 V
RBV2506	2.0600	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2506	8541.10.0000	100					1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 600 V		25 A		Monophasé	600 V
RBV1008	1.4600	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1008	8541.10.0000	100					1 V @ 5 A		10 µA @ 800 V		10 a		Monophasé	800 V
MR754T / R	0 2900	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	Automobile	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	D-6, axial		Standard		D6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-MR754T / RTR	8541.10.0000	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			400 V	900 mV @ 6 a		25 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
En vrac 1N4935	0,1800	RFQ	51	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4935bulk	8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			200 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4752abulk	0,1800	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4752abulk	8541.10.0000	1 000					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 25,1 V						33 V	45 ohms
1N5923BBULK	0,1600	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5923BBULK	8541.10.0000	500							5 µA @ 6,5 V						8.2 V	3,5 ohms
1N5255BT / R	0,0850	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5255BT / RTR	8541.10.0000	10 000					1,1 V @ 200 mA		100 na @ 21 V						28 V	44 ohms
D32bulk	0,2500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)		Axial				M1A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-d32bulk	8541.10.0000	500		2 A	27 ~ 37V												100 µA
HER104T / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her104T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			300 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N757abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n757abulk	8541.10.0000	500					1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						9.1 V	10 ohms
Byv96e t / r	0,0800	RFQ	18	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		Avalanche		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 PAR BYV96ET / RTR	8541.10.0000	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			1000 V	1,6 V @ 1,5 A	300 ns	5 µA à 1000 V	175 ° C	1.5a	-