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Produits semi-conduurs discrètes (455)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
RM11b-Bulk	0.1900	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	D-2, axial	Standard		D2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RM11b-Bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	920 MV @ 1,5 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.2A	30pf @ 4v, 1mhz
Kbl400	1 0000	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-KBL400		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		4 A		Monophasé	50 V
1N757abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n757abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						9.1 V	10 ohms
1N914T / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Standard		Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N914T / RTR		8541.10.0000	10 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	75 V	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	75mA	4pf @ 0v, 1mhz
En vrac 1N4935	0,1800	RFQ	51	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4935bulk		8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5260BBULK	0,1800	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5260BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 33 V						43 V	93 ohms
1N4746abulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4746abulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
FR306bulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR306bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5248BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5248BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 14 V						18 V	21 ohms
1N5338B	0,2600	RFQ	12	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5338BTR	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V						5.1 V	1,5 ohms
HER301T / R	0,1500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her301T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5392bulk	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5392bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	100 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
BR3501	2.6900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3501		8541.10.0000	50			1,1 V @ 17,5 A		10 µA à 100 V		35 A		Monophasé	100 V
10HCB	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-10hcbtr		8541.10.0000	5 000
1N5403bulk	0,1800	RFQ	13	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5403bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	300 V	1 V @ 3 A		5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N5915BBULK	0,2500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5915BBULK		8541.10.0000	500					25 µA @ 1 V						3,9 V	7,5 ohms
1N5223BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5223BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						2,7 V	30 ohms
By299bulk	0,2300	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial	Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 par 299bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 2 A	250 ns	10 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	28pf @ 4v, 1mhz
BR1010	1.1700	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-BR1010		8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA à 1000 V		10 a		Monophasé	1 kv
BY550-1000G	0,9100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 Par 550-1000G		8541.10.0000	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 5 A		20 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
10A07H	0,3600	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	D-6, axial	Standard		D6	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-10A07HTR	EAR99	8541.10.0080	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 V @ 10 A		10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	80pf @ 4v, 1mhz
1N4972	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4972		8541.10.0000	1 000			1,5 V @ 1 A		2 µA à 29,7 V						39 V	14 ohms
1N4733Bulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4733bulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohms
1N5256BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5256BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 23 V						30 V	49 ohms
1N5394T / R	0,0400	RFQ	40	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5394T / RTR		8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	300 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
HER304BULK	0,2500	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her304bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	300 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
BY33T / R	0,0400	RFQ	140	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 Par 133T / RTR		8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1300 V	1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
BR1000	0,9400	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1000		8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 50 V		10 a		Monophasé	50 V
BYD13dbulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 par BYD13dbulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	175 ° C	1.4a	-
BR1506	2.4100	RFQ	200	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1506		8541.10.0000	50			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V