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Produits semi-conduurs discrètes (885)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
KBL406	0,5500	RFQ	5006	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard	Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-KBL406	EAR99	8541.10.0080	4 600													1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 A		Monophasé	600 V
KBL403	0,5500	RFQ	7519	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard	Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-KBL403	EAR99	8541.10.0080	4 600													1.1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		4 A		Monophasé	200 V
1f10	0,0550	RFQ	7256	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Par le trou	R-1, axial	Standard	R-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-1F10tr	EAR99	8541.10.0080	20 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)											1000 V	1,8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA à 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	15pf @ 4v, 1mhz
RBU403M	0,7900	RFQ	6496	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBU	Standard	RBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RBU403M	EAR99	8541.10.0080	2 000													1 V @ 4 A		1 µA @ 200 V		4 A		Monophasé	200 V
Db201	0,3900	RFQ	1410	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,321 ", 8,15 mm)	Standard	Db-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-DB201	EAR99	8541.10.0080	15 000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 50 V		2 A		Monophasé	50 V
Rs204m	0,5500	RFQ	8672	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RS-2M	Standard	Rs-2M	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS204M	EAR99	8541.10.0080	2 700													1.05 V @ 2 A		200 na @ 400 V		2 A		Monophasé	400 V
RM12N100LD	0,1600	RFQ	6776	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM12N100LDTR		8541.10.0080	25 000		Canal n	100 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	112MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	± 20V	1535 pf @ 15 V	-	34,7w (TC)
Rs1002m	0,9800	RFQ	3087	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, Rs-10m	Standard	Rs-10m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS1002M	EAR99	8541.10.0080	1 800													1.1 V @ 5 A		5 µA @ 100 V		10 a		Monophasé	100 V
RM2A8N60S4	0,1100	RFQ	9497	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-223-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2A8N60S4TR		8541.10.0080	30 000		Canal n	60 V	2.8A (TA)	4,5 V, 10V	100 mohm @ 2,5a, 10v	2,5 V @ 250µA	± 20V	715 PF @ 15 V	-	1.5W (TA)
RM5N800IP	0,6900	RFQ	4172	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM5N800IP		8541.10.0080	4 000		Canal n	800 V	5A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,5a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	680 pf @ 50 V	-	81W (TC)
RM2A3P60S4	0,1000	RFQ	2753	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-223-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2A3P60S4TR		8541.10.0080	30 000		Canal p	60 V	2.3A (TA)	4,5 V, 10V	180mohm @ 2a, 10v	2,5 V @ 250µA	± 20V	600 pf @ 15 V	-	1.5W (TA)
RM80N60LD	0,3100	RFQ	7058	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM80N60LDTR		8541.10.0080	25 000		Canal n	60 V	80A (TC)	10V	8,5 mohm @ 20a, 10v	4V @ 250µA	± 20V	4000 pf @ 30 V	-	110W (TC)
RM5A1P30S6	0,0760	RFQ	4647	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM5A1P30S6TR		8541.10.0080	30 000		Canal p	30 V	5.1a (TA)	4,5 V, 10V	32MOHM @ 4A, 10V	2,2 V @ 250µA	± 20V	1280 pf @ 15 V	-	1 56W (TA)
RM12P30S8	0,1650	RFQ	7635	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOSFET (Oxyde Métallique)	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM12P30S8TR		8541.10.0080	40 000		Canal p	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	± 20V	1750 pf @ 15 V	-	3W (TA)
RM20N650HD	1.0400	RFQ	5912	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM20N650HDTR		8541.10.0080	8 000		Canal n	650 V	20A (TC)	10V	210MOHM @ 10A, 10V	5V @ 250µA	± 30V	2600 pf @ 50 V	-	180W (TC)
RM3401Y	0,0460	RFQ	5047	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM3401YTR		8541.10.0080	30 000		Canal p	30 V	4.2a (TA)	2,5 V, 10V	55MOHM @ 4.2A, 10V	1,3 V à 250µA	± 12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W (TA)
RM50N60IP	0 2200	RFQ	1701	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM50N60IP		8541.10.0080	4 000		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	20mohm @ 20a, 10v	2,5 V @ 250µA	± 20V	900 pf @ 25 V	-	80W (TC)
RM50N200T2	1.2200	RFQ	3702	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM50N200T2		8541.10.0080	5 000		Canal n	200 V	51A (TC)	10V	32MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	1598 pf @ 100 V	-	214W (TC)
1N5404G-T	0,1100	RFQ	2945	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Par le trou	DO-201D, axial	Standard	Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-1N5404G-TTR	EAR99	8541.10.0080	1 200	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)											400 V	980 MV @ 3 A		500 na @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4v, 1mhz
RM110N82T2	0.4400	RFQ	9356	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM110N82T2		8541.10.0080	5 000		Canal n	82 V	110a (TC)	10V	7MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	6400 PF @ 40 V	-	200W (TC)
RM100N60T7	0,6800	RFQ	4789	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM100N60T7		8541.10.0080	1 800		Canal n	60 V	100A (TC)	10V	6,5 mohm @ 40a, 10v	4V @ 250µA	± 20V	4800 PF @ 30 V	-	170W (TC)
RM12N650IP	0,5400	RFQ	5130	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM12N650IP		8541.10.0080	40 000		Canal n	650 V	11.5A (TC)	10V	360MOHM @ 7A, 10V	4V @ 250µA	± 30V	870 pf @ 50 V	-	101W (TC)
RM45p20d3	0,2500	RFQ	9074	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	MOSFET (Oxyde Métallique)	8-DFN-EP (3.3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM45p20d3tr		8541.10.0080	25 000		Canal p	19 V	45A (TC)	1,8 V, 4,5 V	7MOHM @ 20A, 4,5 V	1V @ 250µA	± 12V	3500 pf @ 10 V	-	80W (TC)
RM2305B	0,0390	RFQ	9804	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2305BTR		8541.10.0080	30 000		Canal p	20 V	3A (TA), 4.1A (TC)	1,8 V, 4,5 V	52MOHM @ 4.1A, 4,5 V	1V @ 250µA	± 12V	740 PF @ 4 V	-	1.7W (TA)
RM60N75LD	0,4100	RFQ	3866	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM60N75LDTR		8541.10.0080	25 000		Canal n	75 V	60a (TC)	10V	8,5MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	4400 pf @ 25 V	-	140W (TC)
RM27P30LDV	0,1600	RFQ	2318	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 252-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-rm27p30ldvtr		8541.10.0080	25 000		Canal p	30 V	27a (TC)	4,5 V, 10V	30mohm @ 12a, 10v	2,5 V @ 250µA	± 20V	930 pf @ 15 V	-	40W (TC)
RM4N650T2	0 4500	RFQ	6988	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM4N650T2		8541.10.0080	5 000		Canal n	650 V	4A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,5a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	280 pf @ 50 V	-	46W (TC)
RM11n800ti	1.4400	RFQ	3242	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	MOSFET (Oxyde Métallique)	À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM11n800ti		8541.10.0080	5 000		Canal n	800 V	11a (TJ)	10V	420mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	± 30V	2600 pf @ 50 V	-	33,8W (TC)
RS1506 MLS	1.0200	RFQ	2272	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, Rs-15 MLS	Standard	RS-15 MLS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS1506 MLS	EAR99	8541.10.0080	2 000													1,1 V @ 7,5 A		200 na @ 800 V		15 A		Monophasé	800 V
RM2308	0,0690	RFQ	1219	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Oxyde Métallique)	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2308TR		8541.10.0080	30 000		Canal n	60 V	3a (ta)	4,5 V, 10V	105MOHM @ 3A, 10V	1,9 V à 250µA	± 20V	247 PF @ 30 V	-	1.7W (TA)